单极型半导体三极管.PPT

图　2-12 MOS管的结构及其图形符号 　　绝缘栅场效应管的图形符号如图2-12（b）、(c)所示，箭头方向表示沟道类型，箭头指向管内表示为N沟道MOS管(图(b))，否则为P沟道MOS管(图(c))。 2）工作原理 图2-13是N沟道增强型MOS管的工作原理示意图，图2-13（b）是相应的电路图。工作时栅源之间加正向电源电压UGS，漏源之间加正向电源电压UDS,并且源极与衬底连接,衬底是电路中最低的电位点。 当UGS=0时，漏极与源极之间没有原始的导电沟道，漏极电流ID=0。这是因为当UGS=0时，漏极和衬底以及源极之间形成了两个反向串联的PN结，当UDS加正向电压时，漏极与衬底之间PN结反向偏置的缘故。 图2-13 N沟道增强型MOS管工作原理 (a)示意图； (b)电路图 当UGS0时，栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层，当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄层，称为N型反型层。反型层使漏极与源极之间成为一条由电子构成的导电沟道，当加上漏源电压UGS之后，就会有电流ID流过沟道。通常将刚刚出现漏极电流ID时所对应的栅源电压称为开启电压，用UGS(th)表示。 当UGSUGS(th)时，UGS增大、电场增强、沟道变宽、沟道电阻减小、ID增大；反之，UGS减小，沟道变窄，沟道电阻增大，ID减小。所以改变UGS的大小，就可以控制沟道电阻的大小，从而达到控制电流ID的大小，随着UGS的增强，导电性能也跟着增强，故称之为增强型。 必须强调，这种管子当UGSUGS(th)时，反型层（导电沟道）消失，ID=0。只有当UGS≥UGS(th)时，才能形成导电沟道，并有电流ID。 3）特性曲线 （1）转移特性曲线为 由图2-14所示的转移特性曲线可见，当UGSUGS(th)时，导电沟道没有形成，ID=0。当UGS≥UGS(th)时，开始形成导电沟道，并随着UGS的增大，导电沟道变宽，沟道电阻变小，电流ID增大。 （2）输出特性曲线为 图2-14 转移特性曲线 图2-15为输出特性曲线，与结型场效应管类似，也分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区，其含义与结型场效应管输出特性曲线的几个区相同。 图2-15 输出特性曲线 二、耗尽型Ｎ沟道绝缘栅场效应管 1、结构、符号和工作原理 N沟道耗尽型MOS管的结构如图2-16（a）所示，图形符号如图2-16（b）所示。N沟道耗尽型MOS管在制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子，这些正离子的存在，使得UGS=0时，就有垂直电场进入半导体，并吸引自由电子到半导体的表层而形成N型导电沟道。 图2-16 N沟道耗尽型MOS管的结构和符号 （a）结构;（b）图形符号 * 第二章 半导体三极管 * 第一章 半导体器件 第二章 半 导 体 三极管 2.1 双极型半导体三极管 2.2单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用 2.1 双极型半导体三极管 图 2 - 1 几种半导体三极管的外形 2.1.1 晶体三极管的工作原理 图 2 – 2 晶体三极管的结构示意图和符号 一、结构及符号 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极：发射极（e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分别为：3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。 二、 三极管的三种连接方式 图 2 - 3 三极管的三种连接方式 三、 三极管的放大作用 1. 载流子的传输过程 发射。 (2) 扩散和复合。 (3) 收集。 图 2 – 4 三极管中载流子的传输过程 2. 电流分配 图 2 - 5 三极管电流分配 集电极电流ＩＣ由两部分组成：ＩＣｎ和ＩＣ