清华大学电机系微电子试验室创於1992年至今历时七年在此七年草创.DOC

實驗室簡介 --清華大學微電子實驗室 簡介 清華大學電子所微電子實驗室創於1992年，，， 研究團隊 指導教授 徐清祥老師 研究工作 Flash Memory相關研究 贊助單位：國科會，華邦電子，美國PMC，國家毫微米實驗室 博士生：楊青松，王彥森，周秀芬 碩士生：翁偉哲，姚裕源 快閃式記憶體是利用將電子注入或拉出浮動閘(floating gate)以進行資料儲存的非揮發性(non-volatile)半導體記憶元件，目前廣泛地被應用在個人電腦、行動電話、數位相機等相關產品上。 本研究小組對各種結構之快閃式記憶體，如堆疊閘式(stacked-gate)或分離閘式(split-gate)，均有深入之研究。除在國際各學術研討會(如IEDM, VLSI, SSDM, NVSMW等)與知名期刊(如ED, EDL, JJAP等)常有作品發表外，更擁有國內外多項專利權。除了提出新的操作機制，本研究小組也奮力研發新型結構的快閃式記憶體，目前也有了多項突破性的成果。此外，因應記憶體需求的日益成長，本研究小組也提出了各種多重邏輯(multi-level)操作方式以實現高密度快閃式記憶體的目標。 至於目前備受矚目的低壓低功率P型通道快閃式記憶體，則是在1992年由徐清祥老師等人首先提出，之後本研究小組不間斷地在此領域進行更深入的探討，相關成果已在多個國際學術研討會上發表。 除了元件結構與特性之外，對快閃式記憶體效能有直接影響的介電層材料與可靠度分析都是本小組研究的重點項目，實驗室內眾多精良的量測設備對於高品質的研究成果則是功不可沒。 EEPROM相關研究 贊助單位：立生半導體 博士生：林瑞霖 碩士生：柏正豪，林詩芸，李茂麟 　　EEPROM是電性可擦拭可程式化唯讀記憶體的簡稱，在非揮發性記憶體的市場上，占有很重要的地位。基本上我們研究的方向可分為：(1)、EERPOM特性的改善， (2)、EEPROM可靠度分析，(3)EEPROM元件的縮小化， (4)EEPROM陣列操作方法的改進。在過去一年多的計劃執行期間，EEPROM小組不但建立了一套關於EEPROM的特型及可靠度分析的量測模組，並提出數種擬動態快速編碼的方法，以加快EEPROM的寫入速度，除此之外，還提出源極端自我收斂特性的操作模式以達到Multi-Level的效果。目前EEPROM小組仍針對前述的研究方向繼續提出新的構想，以期能使EEPROM做更廣泛的應用。 Oxide Reliability相關研究 贊助單位：台灣積體電路公司，茂矽電子 博士生：李海明 碩士生：劉承傑，許志維 自1961年金氧半場效電晶體（MOSFET）（Moore’s Law）0。7（Short Channel Effect）3nm，元件的操件會由漏電流所限制。因此深入了解具有超薄氧化層金氧半場效電晶體之閘極漏電流機制是迫切且必要的。本小組在超薄氧化層元件之閘極漏電流的研究已經有了一些成果，未來將藉由更多的資料建立一個更有效的模型，以對閘極漏電流機制有更精準的描述。 Power IC相關研究 贊助單位：國科會，茂達電子，漢磊科技 博士生：廖崇維 碩士生：田浩倫，林偉捷 鑑於功率半導體在台灣未來的發展與需求，所以此領域一直是微電子實驗室成立後所發展的重要方向之一。主要功率半導體元件有功率金氧半場效電晶體（Power MOS）、功率雙載子電晶體（Power BJT）、閘流體（Thyristors）及絕緣閘雙載子電晶體（IGBT）…等。這些功率半導體元件最大的特色就是能耐高電壓（可達4500伏特），再利用其佈局的面積便可使其耐高電流（市面上產品大都可達20安培-60安培）。自從成立功率小組後，經過歷屆學長不斷的研究開發，及科學園區廠商的協助與合作，在這幾年已有不錯的成果。所發展的元件都以國外著名大廠（如IR、IXYS、SIMENS）的產品規格為目標。未來的目標除了繼續改良既有的元件特性（包括動態及靜態）外，將更致力於開發新一代的功率半導體元件的開發。 CMOS Imager Sensor相關研究 　　贊助單位：工研院電子所，台灣積體電路公司 　　碩士生：鐘承霖，謝博堯 互補式金氧半影像感測元件（CMOS image sensor）、、、（Chip），System-On　Chip，。、（Charge Coupled Device，CCD）。，（CIC）TSMC 0.6um的互補式金氧半導體製程（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS），，，，，。 通用I-V測試站 名稱 規格 數量 Semiconductor Parameter Analyzer HP 4145B 1 Precisi