温度对Zn掺杂TiO薄膜光电化学性能的影响.PDF

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温度对Zn掺杂TiO薄膜光电化学性能的影响

年第 期( )卷 826 2013 6 44 温度对 掺杂 薄膜光电化学性能的影响∗ Zn TiO2 , , 高家诚 谢奉妤 张 敏   ( , ; , ) 1.重庆大学 国家镁合金材料工程技术研究中心 重庆 4000302.重庆大学 材料科学与工程学院 重庆 400045 : , , , 。 摘 要 以四氯化钛为前驱体 以 为锌源 采 穴的复合时间 从而提高了电子 空穴对的分离效率     ZnCl - 2 2+ , 用溶胶 凝胶法在纯钛基体上制备 了 掺杂纳米 本文以纯钛为基体 通过溶胶 凝胶法制备了掺 - Zn - Zn ( ), ( ), TiO2 薄膜 Zn-TiO2 研究了温度对 Zn掺杂纳米 的纳米 TiO2 薄膜 Zn-TiO2 薄膜 研究了温度对于 薄膜在 / 中的光电化学性能的 薄膜光电化学性能的影响。 TiO 0.2molLNaSO Zn-TiO 2 2 4 2 。 , 影响 根据 Mott-Shottky曲线可知 Zn-TiO2 薄膜为 实 验 2    ; , n型半导体 经过 300℃热处理的Zn-TiO2 薄膜 导带 , 。 位置最高 空间电荷层宽度 最大 从电化学阻抗谱 试样的制备 W 2.1  , , ( ); 得到 光照下 热处理的 薄膜电阻较暗 称取一定量的 溶入蒸馏水中 液 另将 300℃ Zn-TiO ZnCl A 2 2 。 ,

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