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温度对Zn掺杂TiO薄膜光电化学性能的影响
年第 期( )卷
826 2013 6 44
温度对 掺杂 薄膜光电化学性能的影响∗
Zn TiO2
, ,
高家诚 谢奉妤 张 敏
( , ; , )
1.重庆大学 国家镁合金材料工程技术研究中心 重庆 4000302.重庆大学 材料科学与工程学院 重庆 400045
: , , , 。
摘 要 以四氯化钛为前驱体 以 为锌源 采 穴的复合时间 从而提高了电子 空穴对的分离效率
ZnCl -
2
2+
,
用溶胶 凝胶法在纯钛基体上制备 了 掺杂纳米 本文以纯钛为基体 通过溶胶 凝胶法制备了掺
- Zn - Zn
( ), ( ),
TiO2 薄膜 Zn-TiO2 研究了温度对 Zn掺杂纳米 的纳米 TiO2 薄膜 Zn-TiO2 薄膜 研究了温度对于
薄膜在 / 中的光电化学性能的 薄膜光电化学性能的影响。
TiO 0.2molLNaSO Zn-TiO
2 2 4 2
。 ,
影响 根据 Mott-Shottky曲线可知 Zn-TiO2 薄膜为
实 验
2
; ,
n型半导体 经过 300℃热处理的Zn-TiO2 薄膜 导带
, 。
位置最高 空间电荷层宽度 最大 从电化学阻抗谱 试样的制备
W 2.1
, , ( );
得到 光照下 热处理的 薄膜电阻较暗 称取一定量的 溶入蒸馏水中 液 另将
300℃ Zn-TiO ZnCl A
2 2
。 ,
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