电子与信息工程学院电子与信息工程学院3估算BJT的输入电阻rbe.PPT

2、输出特性 电子与信息工程学院 电子与信息工程学院 内部条件 外部条件 1、双极结型三极管 管芯结构剖面图 ++ 外加电压，载流子流动 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 放大： 饱和： 截止： 工作状态判断：考虑电压 工作状态判断：考虑电流 放大： 饱和： 截止： 当实际的基极电流 时 三极管才工作在放大区。 放大：发射结正偏，集电结反偏 假定工作在临界饱和点： 假定工作在放大状态： 当实际的集电极－发射极电压： 时 三极管才工作在放大区。 定性判断 定量判断 如何判断电路中三极管工作在什么区域？ 最大不失真输出电压 如果输入信号的幅度过大，即使Q点的大小设置合理，也会产生失真，这时截止失真和饱和失真会同时出现。 BJT双口网络 H参数小信号模型 固定偏流放大电路 静态： 射极偏置放大电路 1.求 解 顺 序 不 一 样 3.电压增益减小 4.输入电阻增加 5.输出电阻基本不变 Ro = Rc 动态： 2.小信号模型不一样 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA＝－9V，VB＝－6V，VC＝－6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 考虑发射结两端电压，锗管； A是集电极c； 假定：B是基极b，C是发射极e VBC＝0.2V 反偏 假设错误。 C 是基极b， B是发射极e 集电结电压为负值，PNP型管。 P185 4.1.1 e c b N P N 　 c b e N P P 某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图题4.1.2所示，用万用表直流电流档测得IA＝-2mA ，IB＝-0.04mA，IC＝2.04mA，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管，它的 IE=IB+ IC A是集电极c，B 是基极b， C是发射极e。 C是发射极e，IC方向流出，为NPN管。 P186 4.1.2 A C B IA IB IC 1)估算Q点; IBQ ICQ VCEQ 2)画小信号等效电路; P188 4.3.9 电路如图所示，β＝50。 3)估算BJT的输入电阻rbe; 4)如果输出端接入4kΩ的电阻负载，计算Av＝vo/vi及Avs=vo/vs。 P188 4.3.9 电路如图所示，VCC＝12V,BJT的β＝20。若要求|Av|≥100，ICQ＝1mA，试确定Rb，Rc的值，并计算VCEQ。设RL=∞。 标称值 P188 4.3.10 解：根据已知有： 电路如图所示，电容C1,C2,C3对交流信号可视为短路。 (1)写出静态电流ICQ及电压VCEQ的表达式。 IB IC VCE (2)写出电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式； P188 4.3.12 1 2 (3)若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？ P188 4.3.12 1 2+3 电路如图所示，信号源内阻RS＝600Ω, BJT的β＝50。 (1)画出该电路的小信号等效电路。 (2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro； (3)当vs＝15mV时，求输出电压vo； P190 4.4.4 电路如图所示，vs为正弦波小信号， 其平均值为0，Rs＝500Ω，BJT的β＝100。 (1)为使发射极电流IEQ约为1mA，求Re的值。 (2)如需建立集电极电位VCQ为+5V，求Rc的值； (3)RL＝5kΩ时，求Avs； P191 4.4.5 电路如图所示，设β＝100，VBEQ=0.7V。 (1)估算Q点； P191 4.4.6 (2)求电压增益Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro； P191 4.4.6 耗尽型 P沟道 P沟道 增强型 N沟道 N沟道 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) (电场效应，单极性管，电压控制电流) N沟道 P沟道 （耗尽型） 差分放大电路有关概念 差模信号 共模信号 对差模信号无影响 共模抑制比 差模电压增益 共模电压增益 总输出电压 射极耦合差分放大电路 （1）差模情况 A 双出 B 单出 （2）共模情况 A 双出 B 单出 （3）共模抑制比 双出 单出