CMOS逻辑门电路的系列.PPT

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CMOS逻辑门电路的系列

高电平和低电平的含义 3.2 分立元件的开关特性 三、DTL与非门电路 (1)Vi<2V,TN截止,TP导通; VO≈VDD=10V。 (2)Vi>8V,TP截止,TN导通; VO=0V。 (3)Vi=5V,两管都导通;VO=(VDD/2)=5V。 3、输出逻辑表达式 ①输出Y为高电平 为保证输出高电平VOH ≥ VOH(min) , 性能比较见教材P106 (1)基本的CMOS——4000系列。 (2)高速的CMOS——HC系列。 (3)与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。 (4)改进的高速CMOS——AHC和AHCT系列。 作业:3.2; 3.3; 3.7(a)、(c); 3.9;3.12 思考:3.1;3.4;3.7(b)、(d);3.8; 3.10 4、输入端噪声容限——反映抗干扰能力 高电平噪声容限: VNH=VOH(min)-VON=2.4V-2V=0.4V 低电平噪声容限: VNL=VOFF -VOL(max)=0.8V-0.4V=0.4V 3、OC 门的使用 (2)对于或非门及或门,多余输入端应接低电平。 比如直接接地;也可以与有用的输入端并联使用。 3.一端消去或加上小圆圈,同时将相应变量取反,其逻辑关系不变。 输出特性 uO 1 + VCC + 5 V uI + - + - iO uO / V iO /mA 0 10 20 30 -10 -20 -30 1 2 3 在输出为低电平条件下,带灌电流负载能力 IOL 可达 16 mA 0.3V 受功耗限制,带拉电流负载能力 IOH 可一般为 - 400 ?A 3.6V 注意: 输出短路电流 IOS 可达 - 33 mA,将造成器件过热烧毁 ,故门电路输出端不能接地!!! 5、带负载能力 输入短路电流 IIS 输入特性 (1) 输入伏安特性: 1 iI +VCC +5 V uI + - uo T1 iI uI + - be2 be4 +VCC +5 V R1 4k? I V / u I mA / i 0 1 2 -1 IS I IL I UIL UIH IH I 低电平输入电流 IIL 高电平输入电流或输入端漏电流 IIH 5、带负载能力 RPRb1时, vI∝RP。 6、输入端负载特性 RP增大时: vI vB1嵌位在2.1V, 此时vI不会再随RP增大而增大。输出低电平。 RP较小时: vI∝RP ,vIVON=0.8V, 输出高电平。 RP ? ?vI?=VTH=1.4V时, 计算临界电阻值: 即:当RP≤0.5k?时,可以认为输入为“0”; 当RP≥2k?时,可以认为输入为“1”。 以上分析说明: 悬空的输入端相当于接高电平。 “1”,“0”? 例:判断如图TTL电路输出为何状态? Y0=0 10kΩ Y0 10Ω Y1 ≥1 10Ω Y2 Y1=1 Y2=0 1 1 1 0 1 0 例:判断如图TTL电路输出为何状态? Y1=0 10kΩ Y1 VCC 1 7、门间限流电阻的确定 Rp 1 1 Rp G1 G2 为了保证驱动门G1输出的高、低电平能正确地传输到负载门G2的输入端,门间限流电阻R不能太大。 ①当vO1=VOH 时, vO1 vI2 IIH vI2=VOH - IIH ·RP ≥VIH(min) (1) …… ②当vO1=VOL 时, vI2=VOL + IIL ·RP ≤VIL(max) (2) …… vO1 vI2 IIL 由(1)、(2)式可确定门间限流电阻RP的数值。 通常,RP≤1kΩ。 1 G1 1 G2 =VOH =VOL 应有 vI2≥VIH(min) , 应有 vI2≤VIL(max), 多发射 极结构 二、其他类型TTL门电路 TTL与非门 实现 与逻辑 TTL或非门 TTL或非门 TTL与或非门 Y=0 1、OC 门 需要线与时,用OC 门。 线与 电流大 损坏T4 T3 T4 G1 +VCC 导通 导通 截止 截止 1 0 T3 T4 G2 +VCC IIL 1)结构 推拉式输出的门电路不能并联。 2)逻辑符号 (以OC与非门为例) 三、 集电极开路输出的门电路(OC门) T1 T2 T4 Y +VCC A B 使用OC门时,应外接上拉电阻RL和电源VCC’。 RL的计算方法同OD门外接电阻。 不同在于:多个TTL与非负载门输入端并联的情况下,低电平输入电流IIL的数目m’ =负载门个数(≠输入端的数目)。 通常在1?2k?之间。 VCC’的数值根据VOH的需要选定; 实现“线与”功能 (见教材P133例题3.5

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