HgS／CdSnHgS线状超品格电子能带结构.PDF

άÆÕ×ÊѶ 第26卷第 11期 郑瑞伦 等：(HgS／CdS)HgS线状超晶格电子能带结构 8l 称性，可令 (P，(b，z)：■-le (P)z)(m为 (Kronig—Penney)模型相同，I为了理解系统中电子能 谱 的主要特征，采用 ，L．Kronig和 G．Penney对此模型 磁量子数， 为径向量子数)。将此式代入式 (3)，分离 采用的方法 ，为简化起见 ，让 z很小，且讨论低能级 变量可得到如下方程 ： 情况 ，这时可认为 一 ∞，且又保证z 为有限值，这 d2f(z)+ ) 时具有能量 E 的电子 由一个原胞 向另一原胞穿 一 E + 寺2．=。 透时几率为有限值。此时式 (8)将写为 d( + 一E + c。s( +D · =c。s(ka) (9) z+0) ’}i 【 … “。 ／1A +。)=0 (4 其 中D = Ii ZZ 。当 电子 能量较 大时 ， ， D一0。由式(9)得到 一后，由式 (7)求得 电子的能量为 由式(4)可以看出，能量E只由轴向波函数 )满足 的方程决定。由于 (z)= (z+。)，d = ， E 芸1R+警 、‘ 这里A；A ；对低能级情况 ，势垒可视 为无 限高 ， 因此 z) z+0)是对应同一能量E的径向函数 ，因 D一 ∞，能级为： 此 ，应有类似于布洛赫定理的结论： z+0)=e‘厂(z)。 2 E ： + ,1．1．2h2n 式 (4)的解 为 一 (11) R l0 、 1 Be蜩rIp．I +Cel · (0≤ ≤Z1) 其中n=l，2，3… 为能级序号 。令 tgy=D伽 ，则 Be ：+C，e—q ‘： (Z1≤ ≤Zl+Z2) 式 (9)可写为 f(z)= 如 【Be --(：叫’+Cte-~o．I(： 】 e 二 ：cos(后0) (12) (0≤z≤Zl+0) cosy 因为 lCOS(ka)l≤l所 以式 (9)具有能量实数解的条 (5) 件为 这里 =