Ho3+掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与光谱特性.PDF

第 44 卷第 10 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 44 ，No. 10 2 0 1 6 年 1 0 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY October，2016 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.10.09 Ho3+掺杂Bi Si O 晶体的生长与光谱特性 4 3 12 温裕贤，张 彦，储耀卿，杨波波，徐家跃 (上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所，上海 201418) 摘 要：采用坩埚下降法生长了尺寸为25 mm×100 mm 的Ho3+掺杂的 Bi Si O (BSO:Ho)晶体，研究了所得晶体的透射光谱、 4 3 12 激发光谱、发射光谱等特性。结果表明：BSO:Ho 晶体透射光谱与纯BSO 晶体基本一致，在350~800 nm 波长范围的透过率约 为 80%，吸收边在286 nm 处；在 360、454 和 537 nm 处存在与 Ho3+有关的吸收峰；激发光谱在 240~310 nm 波段出现 1 个宽 的激发带，峰值在290 nm 左右；发射光谱中除 480 nm 发射带外，在 573 nm 附近有多个与Ho3+有关的尖锐发射峰。BSO:Ho 晶体的主要发光分量的荧光衰减时间为94.41 ns，表明掺杂0.1%Ho3+(摩尔分数)有利于提高 BSO 晶体的闪烁性能。 关键词：硅酸铋晶体；坩埚下降法；晶体生长；钬掺杂；光谱性能 中图分类号：O782 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2016)10–1446–05 网络出版时间：2016–09–26 16:54:53 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1654.011.html Growth and Spectral Properties of Ho-doped Bi Si O Crystal 4 3 12 WEN Yuxian, ZHANG Yan, CHU Yaoqing, YANG Bobo, XU Jiayue (Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China) Abstract: Ho-doped Bi Si O (BSO:Ho) crystal with 25 mm in diameter and 100 mm in length was grown by a modified vertical 4 3 12 Bridgman method. The transmission spectra, excitation spectra, emission spectra and decay time of the as-grown crystal were investigated. S