对直拉硅片中氧沉淀分布的影响.pdfVIP

　第 25 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 25, . 8 V o l N o 　2004 年 8 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S A u g. , 2004 氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响 崔　灿　杨德仁　马向阳　余学功　李立本　阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州　3 10027) 摘要: 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响. 实验结果表明, 三步退火后在掺氮硅片截面形成 特殊的M 形的氧沉淀密度分布, 即表面形成没有氧沉淀的洁净区(D Z) , 体内靠近D Z 区域形成高密度、小尺寸的