NAND FLASH 控制器.ppt

块擦除时序 60h D0h 70h 块地址 多块擦除 最多可重复4次 页拷贝 命令格式 命令字：00 原地址 命令字：8A 命令字：70：读取状态 根据状态字执行响应操作 目的地址 命令字：10 页拷贝时序图 00h 8Ah 10h 70h 源地址 目标地址 拷贝到同一PLANE的另一页 状态命令寄存器 命令结束后，通过读取相应管脚的值确定操作状态 NAND FLASH 控制器 K9F1208U0M NOR NAND 对比 NOR NAND 容量 1MB~32MB 16MB~512MB XIP 可片内执行 不可 擦除速度 5s 3ms 写 慢 快 读 快 较快 可靠性 较高 较低，需校验 可擦除次数 10000~100000 100000~1000000 生命周期 低，10%NAND 10 NOR 接口、体积 与RAM相同 I/O口 访问控制 随机存储 串行访问 编程简易度 简单 复杂，实现控制协议 主要用途 存放程序 存放数据 价格 高 低 NAND FLASH 物理结构：K9F1208U0M K9F1208U0M 引脚定义 硬件接口电路 传输所有命令字，地址，数据 软件控制协议基本流程 指令，数据通过I/O口传输，每次一字节 操作示例：写入一页数据 就绪/忙碌 数据线 命令字：80h代表写入页操作 要写入的地址，写入的数据 命令字：10h代表执行写入 命令字：70h查询状态 状态判断 必须在R/B状态为低时执行写入 K9F1208U0M 命令字 00h读A区,01h读B区 读C区 读芯片序列号 复位 写入 多页写入 复制 多块复制 块擦除 多块擦除 K9F1208U0M 存储结构 页地址 四个Plane 每个Plane 1024个块 每个块32页 每页512字节+16字节 PLANE划分 注意： Plane内的块不是连续的。纵向组合 Block 0 Block 1 Block 4092 Plane 0 K9F1208U0M 地址格式 每页512+16=28+1+24 I/O线共8条，每次8位，固只能分两次读取 地址：A0 ~ A7 联合命令字确定上半部（00h），下半部（01h） 列地址 页地址 页地址中： 每32页一个块，所以：A9 ~ A13 为块内页地址 每1024个块组成一个Plane，A14 ~ A25 为 Plane内块地址 共有4个Plane，A14 ~ A15 为Plane地址 地址格式：列地址+页地址+Plane地址+块地址 注意： 为什么没有A8 读操作 命令格式：00h/01h+地址 页结构： 一页512+16字节，8位地址显然不够，至少需要三次读取 每页分为三个区，A:0~255 B:256~511 C：512~527 通过命令字确定读取的是哪个区 页面区读取 显然： 00h读取前半区，相当于A8=0 01h读取前半区，相当于A8=1 读操作时序:A,B区 命令字 地址，分四次传输 数据输出 读操作时序:C区 有效地址数据：A0~A3 数据输出 从上半区开始读取 从下半区开始读取 数据由起始地址顺序输出 ？如何停止数据输出 使CE引脚变高 数据读取的编程 正确的读取数据，需要严格按照时序进行 编程过程： 控制时序 根据时序实现I/O口上的指令协议 核心：寄存器的配置和读写 相关寄存器 寄存器 功能 NFCONF: 配置寄存器，配置时序 NFCMD: 寄存器写入指令 NFADD: 寄存器写入地址 NFDATA: 数据寄存器 NFSTAT: 状态寄存器 时序分析 寄存器 操作 CLE ALE CE WE RE NFCONF: 使能外部flash L NFCMD: 写入控制字 H L L L H NFADD: 写入地址 L H L L H NFDATA: 读取数据 L L L H L 当执行下列操作时，相应的引脚状态如下表自动变换 引脚状态必须满足如下状态才能执行相应的操作 寄存器时序配置 S3C2410时序 NAND FLASH 时序值 寄存器时序配置值： TACLS=0 TWRPH0=3 TWRPH1=0 程序编制原语 NFCONF = ~0x300; //使能NANDFLASH, CE置0，配置时钟 for(i=0; i10; i++); //等待10个周期，确保就绪 NFCMD = 0x00; //ALE置0，CLE置1，WE由低变高 ?/*写地址*/ //ALE置1，CLE置0，WE由低变高 NFADDR =A0~A7; NFADDR = A9~A16; NFADDR = A17~A24; ?NFADDR = A25; /*读取数据*/ *buf = NFDATA NFCONF = ~0x800