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维普资讯 电‘力电子2006年5期 综 述 SurvevLecture IGBT发展概述 IGBT，Insulatedgatebipolartransistor 北京工业大学 亢宝位 摘 要 ：本文概述了IGBT 自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近 (下层)结构改 进 (透明集电区)、耐压层附近 (中层)结构改进 (NPT、FS／SPT等)和近表面层 (上层)结构改进 (沟 槽栅结构、注入增强结构等)，以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS— IGBT、SPT、SPT+、IEGT、HiGT、CSTBT等。 Abstract：The developmentofIGBT ispresented in thispaper ．It includesthenew concepts：transparent collector，FS，trenchgateandinjcetionenhancedandtheNew sorts products：PT—IGBT， FS-IGBT，TrenchIGBT，IEGT，HiGT． 1前言 积和重量、降低制造成本，它引起的功率电子技术的变 IGBT是绝缘栅晶体管英文名称的缩写(Insulated 革堪称一场革命 。 GateBipolarTransistor— IGBT)。它是在 1980年代初 IGBT是一个工作原理复杂的集成的功率器件，它 期由几个不同机构的不同研究者几乎同时分别提出 1【—5】， 的结构变化会引起性能上的重大变化，本文的中心内 各 自称为单片集成半导体开关器件 、带 阳极区功率 容是概述 IGBT发明后的二十余年来的重要的结构改进 M0SFET、IGR、IGT、ComFET、双极模式M0SFET、’ 和性能提高。 MOSFET模式双极晶体管等等，不一而足。反映了研究 者对IGBT工作机理的不同理解。JEDEC及时提出了标 2IGBT 的基本结构与主要发展方向 准名称IGBT。但直到 l988年后才一致采用这个名称。 2．1基本结构一P卜lGBT IGBT 的发明初衷是为了简化功率器件的驱动电路 最早成熟投产的是以后所称的穿通型IGBT(Punch 和减小驱动功耗 。上世纪六十年代晶体管和晶闸管作 Through IGBT，PT-IGBT)，原理结构如图l。其中特 为功率器件都 已发展成熟。但是这种双极功率器件驱 别应指出以下几点 ：(1)理论上发射极总电流由与PIN二 动功耗大而且电路复杂使设备成本高。七十年代功率 极管串联的M0SFET、PNP晶体管和PNPN 晶闸管三 M0SFET研究成功，它是绝缘栅极控制的多数载流子 部分 电流组成，其相对大小与具体结构和工作条件有 器件，静态驱动的损耗近于零而且开关速度很快。但是 关。正常的IGBT要避免晶闸管作用，控制晶体管作用， 高压器件通态电阻较大，Rdson正比于V ·增加。受 (2)在每个原胞的P型阱区中心处铝电极将PN结短路， M0SFET的启发，研究者想到用绝缘栅极的原理来控 并且加深N 型源区下的P 阱深度，两者都是为了抑止 制功率晶体管，这就促成 IGBT的发明，这也是绝缘栅 晶闸管的作用，避免锁定，(3)P+集电区与N一 耐压层 双极晶体管名称的由来。然而，IGBT 是一个复杂的集 之间加入一个N+缓冲层，它的作用是用更薄的N一层 成结构，工作原理更为复杂，突出表现之一是它的工作 能够得到同样的耐压 ，从而减小了通态压 降和开关时 频率可以远高于双极晶体管。目前IGBT成为功率半导