第一章半导体器件-lm课件.pptVIP

（二）输出特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA iB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： iB ? 0 iC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 2. 放大区： 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：iC ? ? iB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) uCE=U(CES)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点：水平、等间隔 ICEO 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 特别注意：温度对二极管的特性有显著影响 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 T 升高时， UV(th)以 (2 ? 2.5) mV/ ?C 下降 60 40 20 – 0.02 0 0.4 –25 –50 IV / mA UV / V 20?C 80?C 温度升高，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。 (1-*) 2.3 主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管