Silvaco器件仿真概要.ppt

参数解析： 材料参数包括： （1） 材料类型参数 材料类型可以是：SILICON, OXIDE, OXYNITRIDE, NITRIDE, POLYSILICON, ALUMINUM, TUNGSTEN,TITANIUM, PLATINUM, WSIX, TISIX, PTSIX, PHOTORESIST, ALGAAS, INGAAS, SIGE,INP中的任意一种。 （2） 材料晶向参数: Orientation 材料晶向参数orentation定义了衬底的晶向。至有100，110，111可被识别。 （3）材料成分百分比参数：C.Frac 材料成分百分比参数C.Frac定义了化合物半导体的组成如 SiGe, AlGaAs等 掺杂参数包括： （1）掺杂类型参数： 掺杂类型参数包括Antimony Arsenic, Boron, Phosphorus等。 定义了作为背景掺杂所引入的杂质类型。只能用其中之一。 如果使用了此参数则必须同时定义浓度或电阻率参数。 （2）掺杂浓度参数： Concentrat 定义了背景浓度，单位为每立方厘米。 （3）电阻率参数： 电阻率参数定义了初始化衬底材料的电阻率，单位是ohms.cm （4）掺杂浓度参数 C.Antimoy, C.Arsenic, C.Boron, C.Phosphor, C.silicon…等参数也可以用来定义衬底材料的初始掺杂浓度，与Concentrat不同的是，它可以多个参数同时使用并以此来定义初始化的补偿掺杂。 （5）无杂质语句No.Impurity No.Impurity语句定义了初始化材料中无杂质。此语句用于加快氧化、刻蚀的分析。 维度参数包括： （1） ONE.D 定义1维仿真 （2） TWO.D 定义2维仿真 一旦选择2维仿真，所有计算都将在2维模式下进行。 （3） Auto是默认模式。 如果不定义任何维度参数或使用auto模式，那么系统将默认在1维模式下进行计算，直至发现有任何需要进行2维计算的语句出现为止。 语句实例： 下面语句定义氧化物为衬底，初始化了网格信息并建立了1e15的初始掺杂浓度，掺杂材料为硼。 INITIALIZE OXIDE C.BORON=1E15 语句#3 Implant 语句功能： implant(离子注入)语句定义了离子注入的工艺过程。 语法结构： Implant 【杂质参数】【模型选择参数】【注入条件参数】 语句解析： 选择解析模型、蒙特卡洛模型等不同的离子注入模型，来对离子注入工艺过程进行仿真。可以定义注入的杂质类型、并可对离子计量、能量等条件进行设置。 参数解析： 杂质类型参数 杂质类型可以是：ALUMINUM, ANTIMONY, ARSENIC, BERYLLIUM, BF2, BORON, CHROMIUM, GALLIUM, CARBON, GERMANIUM, INDIUM, MAGNESIUM, PHOSPHORUS, SELENIUM, SILICON,和 ZINC中的任意一种。 模型选择参数： （1）解析分布模型参数Gauss： 这里φ 是每平方厘米所使用的离子剂量，它可通过dose参数语句来定义。Rp 是设定的范围. ?Rp 范围的标准误差。 （2） 解析分布模型参数Pearson ： 由于实际的分布情况往往不是对称的，高斯分布有其局限性。 对于非对称离子注入分布的计算，最为简单并且被广泛使用的是 Pearson分布。特别是Pearson IV函数。Athena使用这个函数来 获得纵向离子注入分布。 （3） 解析分布模型参数Full.Lat ： 此模型是Pearson模型的拓展模型。 （4） Monte / BCA模型参数 Monte或 BCA模型激活了蒙特卡洛离子注入模块，这是基于 Binary Collision Approximation的模型。 （5） Crystal和 Amorphous参数 指定了离子注入仿真过程中是否考虑硅的晶体结构。此二参数 不能同时选定。默认条件下是Crystal模式。某些特定材料中要 明确使用Amorphous模式以避免得到错误的仿真结果。 注入条件参数 （1）Dose 定义了单位面积内所使用的杂质剂量。单位是每平方厘米。 （2）Full.Dose调整了用来补偿倾斜角的剂量。这种定义通常用 于高倾斜角度的离子注入。 tilt 调整后的剂量=剂量/ cos(tilt), 其中cos(tilt)是倾斜角的余弦值。 （3）Energy 定义了离子的能量，单位是KeV. 注入条件参数 （4）Tilt 定义了对应于垂直离子注入的倾斜角度，单位是度。默认为7度。 （5） Rotation定义了相对