SMD原物料承认作业方法概要.doc

原物料承認作業方法 制訂日期﹕2016/03/01 核准 審核 制訂 文件標題 原物料承認作業方法 文件編號 S80-WI-059 版本 A 制訂部門 SMD工程部 制訂日期 2016/03/01 頁碼 1 原物料承認作業方法修訂記錄表 修訂頁次 修訂條款 修 訂 原 因 修 訂 人 修訂日期 部門主管簽核 P4 新增 新增發射管老化判定標准 文浩 10/4/6 邵小山 P4/5/6/7/9 修改 實驗取樣數量重新定義 文浩 10/4/6 邵小山 P5 修改 紅墨水滲透標准重新定義 文浩 10/4/6 邵小山 P9 修改 熒光粉信賴性條件重新定位 文浩 10/4/6 邵小山 P8 修改 斷裂拉力標准 謝召弟 10/6/10 邵小山 P11/12 新增 刷黑支架承認作業方法 謝召弟 10/8/6 邵小山 P6 新增 支架折彎腳檢測 謝召弟 10/8/28 邵小山 P11 修改 油墨與其他異物有無掉進杯內 謝召弟 10/8/28 邵小山 文件標題 原物料承認作業方法 文件編號 S80-WI-059 版次 A1 制訂部門 SMD工程部 制訂日期 2010/08/28 頁碼 2 1.目的 爲嚴格控制本公司原物料的品質及規範檢驗程序，特制訂本程序使原物料進料規範化。 2.範圍 適合所有原物料承認 3.權責 資材部:負責原物料樣品及規格書的索取 工程部:負責原物料的樣品的製作、檢驗及產品資料數據的建立。 4.定義 無。 5.作業內容﹕ 5.1大功率晶片承認 5.1.1資材部向原物料供應商索取最新的原物料樣品，原物料供應商向我司提供樣品並附相應的規格書，且需確認此樣品有能力量產。並由資材部開立物料承認通知單. 5.1.2樣品晶片裸晶亮度等級要規範，波長的跨度在5nm之內，白光波段要在2.5nm以內 5.1.3使用高倍顯微鏡進行外觀特性檢測 晶片裂痕﹔晶片破損﹔切割不良﹔底部不平﹔掉電極﹔電極偏移﹔電極殘缺﹔電極氧化﹔電極鍍層脫落﹔粘膜鬆緊﹔ 5.1.4依據供應商規格標示值，使用精密測繪儀進行尺寸量測； 5.1.5使用IS機進行裸晶電性量測 1）Lm：是LED的光通量,單位﹕Lm(條件﹕順向0.5W/1W/3W/5W：150/350/700/1500mA)， 2）λd：是LED的主波長，單位﹕nm(條件﹕順向0.5W/1W/3W/5W：150/350/700/1500mA)， 3）λp：是LED的峰值波長，單位﹕nm(條件﹕順向0.5W/1W/3W/5W：150/350/700/1500mA)， 4）mW﹕是LED的功率，單位﹕mW(條件﹕順向0.5W/1W/3W/5W：150/350/700/1500mA)， 5）成品ESD測試(HBM)： 測試儀器：ETS 910 抽測20pcs, 以-1000V/沖擊1次、-2000V/沖擊1次，再以逆向5V測Ir讀值。 判定標準：（注：此標准主要針對于藍光晶片，沖擊電壓：-1000V~-8000V） -1000V,沖擊1次，IR1μA ≧100% -2000V,沖擊1次，IR1μA ≧95% 如晶片廠有保証在何種條件下可通過的百分率，我司將按照此標準進行抽測，如不能通過則判定為不合格。單項不合格者將毋須繼續承認。 文件標題 原物料承認作業方法 文件編號 S80-WI-059 版次 A0 制訂部門 SMD工程部 制訂日期 2016/03/01 頁次 3 5.1.6樣品晶片成品製作,樣品制作為40PCS：（具體打樣數量可根據資材提供的樣品數量進行打樣） 1）有色光：支架：PL03、金線：1.25mil、瓷嘴：38KF、小于38mil使用CT285 大于等于38mil使用9888） 2）白光：支架：PL02、金線：1.25mil、瓷嘴：38KF、小于38mil使用CT285 大于等于38mil使用9888） 3）同等級晶片對照組，作業條件同上 5.1.7樣品晶片可靠性實驗： 1）熱燙：（條件：260℃/10秒），取樣數量5~10PCS 判定標準：VF誤差≦0.1V，不得死燈 2）高溫高濕3H/回流焊/冷熱沖擊實驗：取樣數量5~10PCS 高溫高濕90%濕度60℃環境溫度 回流焊150℃-200℃-270℃/3min 冷熱沖擊-45℃/20min~3min排風~3min復歸~105℃/20min，共100個循環 判定標準：VF誤差≦0.1V，不得死燈 3）老化實驗： a.常高溫各取5~10PCS ●0.5W：150mA/1000H常溫老化 ●1W：350mA/1000H常溫老化 ●3W：700mA/1000H常溫老化 ●5W：1500mA/1000H常溫老化 條件一的判