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Ch 7 光辐射探测器件 • 光电探测器的物理效应 • 光电探测器件中的噪声 • 光电导、光伏探测器件、光电倍增管 • 热释电探测器件 • 变像管、增像管、摄像管 • 电荷耦合器件（CCD ） 光电探测器的物理效应 • 光电效应：入射光辐射的光子流与探测 器材料中的电子相互作用，从而改变电 子的能量状态，引起各种电学现象。 • 光热效应：吸收光辐射能量后，并不直 接引起内部电子能量状态的改变，而是 把吸收的光能变为晶格的热运动能量， 引起探测元件温度的上升，从而使元件 的电学或其他的物理性质发生变化。 1.光伏效应 物理效应 1. 内光电效应 光电效应 2.光电导效应 2.外光电效应 外光电效应：受到光照后，产生电子发射的现象。 1.光吸收 2. 电子向界面运动3.克服表面势垒向外逸出 1 2 mv hv −W （爱因斯坦定律） 2 max I S φ （斯托列托夫定律） k k k 物理效应 光电导效应：半导体材料吸收能量足够大的光子后，使原来处于束 缚态的电子或空穴变为自由状态，从而使半导体的电导率增加。 光照前： σ en µ +ep µ 0 0 e 0 h 光照后： σ σ +∆σ 0 e(n µ +p µ ) +e(∆nµ +∆p µ ) 0 e 0 h e h 物理效应 光伏效应：零偏状态，光照射p （或n ）区，只要照射波长= λc ，就会激发出光生电子空穴对，p区的电子在电场作用下到 N区，n区的空穴到p区，使得势垒降低，相当于加了正向电压 eV -eV eV D D 光照前后pn结的能带结构 物理效应 光热效应：探测元件吸收光能量后，把吸收的光能转化为晶 的热运动能量，引起探测器件的材料物理性质的变化． 探测器件材料吸收辐射而温度升高，可产生温差电动势，电阻率，自激化 强度或使气体体积，压强发生变化 Ps 温差热电偶，热电堆 金属和半导体热敏电阻测辐射热器 Tc T 热释