中南大学电子技术课件——半导体器件.ppt

(1-*) 运放的电压传输特性 ui uo ui uo +UOM -UOM ? Ao越大，运放的线性范围越小，必须加负反馈才能使其工作于线性区。 _ + ? + A0 (1-*) 理想运算放大器 理想运算放大器 (1) 高增益Aod = ∞ (2) 失调小Ri = ∞ (3) 恒压输出Ro= 0 (4) 频带宽BW = ∞ (5) 零输入零输出 u+ =u- 时 uo =0 (6) 没有温度漂移KCMR = ∞ 传输特性曲线 线 性 区 O uid uo Uomax –Uomax 正饱和区 负饱和区 (1-*) 由于运放的开环放大倍数很大，输入电阻高，输出电阻小，在分析时常将其理想化，称其所谓的理想运放。 理想运放的条件 虚短路 放大倍数与负载无关。分析多个运放级联组合的线性电路时可以分别对每个运放进行。 虚开路 运放工作在线性区的特点 3、在分析信号运算电路时对运放的处理 (1-*) 4、分析运放组成的线性电路的出发点 虚短路 虚开路 放大倍数与负载无关， 可以分开分析。 u+ uo _ + ? + ? u– Ii (1-*) i1= i2 uo _ + ? + ? R2 R1 RP ui i1 i2 1）放大倍数 虚短路 虚开路 例1、反相比例运算电路 电路结构 虚地 Uo ？ (1-*) 例2、同相比例运算电路 u-= u+= ui _ + ? + ? R2 R1 RP ui uo 反馈方式：电压串联负反馈。输入电阻高。 虚短路 虚开路 结构特点：负反馈引到反相输入端，信号从同相端输入。 虚开路 * * * * * * (1-*) IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 § 4.4 双级型晶体三极管 (1-*) 半导体三极管的型号（补充） 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。 双级型晶体三极管 (1-*) 重点1：三极管的放大作用（电流分配） 双级型晶体三极管 (1-*) 重点2：三极管的三个工作状态特征 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏。 截止状态：发射结反偏，集电结反偏。 § 1.4 双级型晶体三极管 (1-*) 晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 第1章 小结 (1-*) 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 第1章 小结 (1-*) 例1：测得放大电路中三极管各极直流电位 如图所示，试判断:三个管脚的电极名称； 是硅管还是锗管；是NPN还是PNP。 6V 0.6V 1.3V A -11.3V -12V -5V B -6V 0.2V 0V C § 1.4 双级型晶体三极管 (1-*) 2、电流判断三极管工作状态的方法： IC(mA ) 1 2 3 UCE(V) 3 6 9 12 临界饱和点 用电流 判断饱和 （　一定） （　一定） (1-*) 例2： ? = 50， USC =12V， RB = 70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的直流(静态)工作 点Q位于哪个区？ 当 USB = -2V 时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB= 0 ， IC = 0 　Q位于截止区 解： §1.4 双级型晶体三极管 (1-*) 例3： ? = 50， USC =12V，RB =70k?， RC = 6k? , 当USB = -2V，2V，5V, … 　所以　I