精品第3节 磁敏传感器.ppt

原理: ①设无外加磁场:很少空穴和电子复合,有稳定电流 ②外加正磁场 ,载流子都受到洛仑兹力 运动偏向r区,电流减小 ③外加反向磁场,仍受洛仑兹力,在I区载流子数量增多,电流增大 结论: 载流子的偏移与洛仑兹力有关,洛仑兹力与电场和磁场的乘积成正比.随着磁场大小方向的变化,可以产生输出正负电压的变化. (若磁敏二极管反向偏置,仅有微弱电流.) 2.磁敏二极管的重要特性 ①伏安特性: a.给定磁场下，锗磁敏二极管两端 正向偏压和通过它的电流关系曲线 ②磁电特性 ③温度特性 ④频率特性 硅管 响应 t 1us 频率 1MHz 锗管 响应 t 1us 频率 10KHz ⑤磁灵敏度 a.恒流条件下,电压相对磁灵敏度hu: b.恒压条件下,电流相对磁灵敏度hi： c.给定电压﹑电流和负载R, 电压磁灵敏度和电流磁灵敏度 3.温度补偿及提高灵敏度的措施 ①互补式电路 二.磁敏三极管的工作原理和主要特性 1.结构和原理 电路符号: 结构: 工作原理: a.无磁场: 集电极电流小,基极电流大 b.加正向磁场 洛仑兹力,基极电流加大, 集电极电流更小 c.加反向磁场 洛仑兹力,集电极电流加大 2.磁敏三极管主要特性 ①伏安特性 ②磁电特性 (较弱磁场时,Ic与B是线形关系) ③温度特性 3ACM 3BCM 磁灵敏度的温度系数为０.８％∕℃ 3CCM磁灵敏度的温度系数为-0.6%∕℃ 温度系数 ④频率特性 磁场交变: 3BCM 响应t 2us 截止频率500KHz 3CCM 响应t 4us 截止频率2.5MHz ⑤磁灵敏度(正向﹑反向) h+: 受正向磁场作用磁灵敏度 IcB+: 受正向磁场作用集电极电流 h-: 受反向磁场作用磁灵敏度 IcB- : 受反向磁场作用集电极电流 I∞：不受磁场作用，给定基流下的集电极电流 ⑥工作电压 3V ~ 几十V 3.温度补偿及提高灵敏度的措施 ①负温度系数管 用正温度系数普通硅三极管 ②正温度系数管(3BCM) ③选择特性一致,磁性相反 差分式补偿电路 三﹑磁敏管的应用 四﹑常用磁敏管参数的型号﹑参数 五、磁阻元件（一）磁阻效应 （二）形状效应 磁阻元件是利用半导体的磁阻效应和形状效应研制而成。 (1)长方形磁阻元件 在电场和磁场相互垂直得固体中电子的运动 (2)科尔宾元件 在园盘形元件得外圆周边和中心处，装上电流电 极，将具有这种结构的磁阻元件称为科尔宾元件。 (3)平面电极元件 为了加大磁阻效应就要使电阻变大。从原理上讲，如果把 L/b比值小的元件多个串连，就能解决问题，尽管这样的结构 较好，但是制作困难，不能实用。 (4) InSb－NiSb共晶磁阻元件 在InSb的晶体中掺杂NiSb，在结晶过程中会析出沿 着一定方向排列得细长的NiSb针状晶体。 针状晶体导电性能良好，其直径为1μm，长度为 100μm，相当于几何形状效应。它是几何形状长宽比 L/b＝0.2的扁条状磁阻元件的串连元件。 未掺杂的InSb－NiSb磁阻元件叫D型， 掺杂的InSb－NiSb磁阻元件叫L、N型 掺杂磁阻元件灵敏度下降，但从温度关系曲线上将会发现， 其温度特性得到了改善。 （5）曲折形磁阻元件 （a）所示的单个曲折形结构 （b）是用两个曲折元件组成一个差动式元件，其优点是可将磁阻元件阻值在无磁场情况做到数百欧甚至数千欧。 （6）磁阻元件的温度补偿 图中RM为磁阻元件，r1、r2为温度补偿元件。 磁阻元件的应用 使用InSb作为感磁材料的半导体磁阻元件 加强磁阻元件感磁部分由NiCo强磁性金属构成， 磁场方向应平行于电流方向 两个磁敏电阻RM1和RM2串连连接的电路结构具有一定温度补偿的作用 （2）用磁敏电阻监视交流电流 非接触的交流电流测量和监控 只要将MS-F06靠近被测电线就可得输出电压 MS-F06的温度特性 MS-F06到被测电线的距离和输出电压的关系 非接触电流监控电路 改变电流值时系统的特性 （3）用磁敏电阻读磁卡 传感器扫描磁卡（电话卡）表面时的波形图 （4）用磁敏电阻检测和识别图形 一个图形识别的电路实例 BS05C1HGAA （5）磁阻式位移传感器 磁阻元件的应用举例 使用磁阻元件（MRE）传感器，可检测低速旋转 旋转传