在半绝缘sic衬底上制备的s波段2w碳化硅mesfet s-band 1mm sic mesfet with 2w output on semi-insulated sic substrate.pdfVIP

下载本文档

7
0
约1.97万字
约 4页
2017-08-17 发布于上海
举报
版权申诉

在半绝缘sic衬底上制备的s波段2w碳化硅mesfet s-band 1mm sic mesfet with 2w output on semi-insulated sic substrate.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

在半绝缘sic衬底上制备的s波段2w碳化硅mesfet s-band 1mm sic mesfet with 2w output on semi-insulated sic substrate

第27卷第2期半导体学报 V01．27No．2 2006年2月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Feb．，2006 S--BandlmmSiCMESFETwith2W Output onSemi·-InsulatedSiCSubstrate Cai Ha0，Li Zha0 Shujun+，PanH0ngshu，ChenLiang，andZhenping SemiconductorResearch (Hebei 050051，China) Institute，Shijiazhuang Abstract：ASiCMESFETstructureis onasemi．insulated50mmSiCsubstrateahot． successfullyprepared using wallSiC the about1．7×1017cm～，andthethicknessisa． reactor．Theconcentrationfor channelis doping layer bout bufferis betweenthesubstrateandthechannel 0．35um．Anunintentionallyn．doped layeremployed layer．A forOhmiccontactis to10”cm～．MESFETdevicesarefabricated caplayer doped usinginductivelycoupledplas- ma andotherconventionaltools．Powerdeviceswitha1ram widtharemeasuredanda2W at etching gate output 2GHzisobtained． Keywords：MESFET；SiC；buffer layer EEACC：2560S CLCnumber：TN325+．3Documentcode：A ArticleID：0253．4177(2006)02-0266．04 +C3H8+H2system．Thegrowth typical 1 Introduction tureis～1550℃atthe the susceptortop。andsys． tern iscontrolledatabout pressure Duetoitssuperior is