在发电机励磁系统可控硅整流装置运行过程中，为了抑制晶闸管关断过.docVIP

励磁大功率柜阻容参数设计新方法 万和勇 陈小明 （葛洲坝水力发电厂 湖北宜昌 443002） 摘 要 针对某些励磁大功率柜阻容保护存在的缺陷，本文分析其原因，提出了一种设计励磁大功率柜阻容参数的新方法，按照此方法设计的阻容保护运行情况很好。 关 键 词 晶闸管 关断过电压 阻容保护 励磁装置 0. 引言 在发电机励磁系统可控硅整流装置运行过程中，晶闸管从导通到阻断会产生关断过电压，其尖峰易导致晶闸管的反向击穿。为了抑制晶闸管关断过电压，常常在晶闸管两端并接阻容保护:电阻和电容串联后并联于可控硅两端。在阻容保护电路中，电容吸收尖峰过电压，电阻限制电容的充放电流，起到吸收电容能量、阻尼回路产生震荡、限制晶闸管开通损耗与电流上升率等作用。倘若励磁大功率柜阻容参数选择不当，就会出现电阻温度过高或烧毁、电容爆裂、甚至晶闸管过电压击穿等故障。近几年，葛洲坝电厂励磁大功率柜阻容器件故障率很高，占整个励磁故障的60%以上，还发生电容爆裂导致功率柜烧毁等事故。另外，双鸭山电厂、大化电厂也发生励磁大功率柜阻容故障。由此可见，分析和解决这些故障极为重要。 1. 阻容参数传统设计方法及其效果 励磁大功率柜阻容参数传统设计方法，一般是按照有关技术手册中给出的数据，再根据经验数据进行选取。这种方法对于设计1000A以下励磁功率柜阻容参数是合适的，但对于1000A以上的励磁大功率柜，其效果就不太理想了，甚至会造成阻容保护本身故障。设计励磁大功率柜阻容参数的传统方法，一般以下面的经验数据表格和计算方法为依据，这里，Um（V）是可控硅整流桥阳极电压峰值，f（HZ）其频率。 晶闸管额定电流 IT（A） 2000 1650 1200 1000 500 200 100 电容C（μF） 3 2 1.5 1 0.47 0.23 0.15 电阻R（Ω） 10 15 15 33 50 80 100 电容耐压一般按晶闸管额定电压的1.1—1.5倍选择 电阻功率在国内文献中按下式计算: （W） 葛洲坝电厂励磁大功率柜阳极额定电压为780V，单柜额定输出参数1600A/800V，采用1650A/4200V晶闸管。若按照上述方法选择阻容参数，则R=15Ω/120W，C=2μF/4.6KV-6.0KV。考虑到市场上电容的质量和耐压等级，以及整个阻容装入到功率柜风道之中的通风情况，阻容参数最终确定：R=25Ω/60W，C=1μF/4KV。 按照上述方法设计的阻容参数，型式试验和运行情况表明：（1）电阻温度严重发热。电阻温度一般都在120C0以上，最高达到250C0。为了降低电阻温度，只有将阻容安装在功率柜风道内，进行强迫冷却。但由于风道内空间狭窄，布置起来很困难，同时也给运行和检修带来很大的麻烦。（2）电容易爆裂。目前功率柜一般使用油浸电容，这种电容在较大的充放电流作用下，以及受电阻高温的辐射影响，内部压力增大，轻者电容漏液，重者电容爆裂。（3）对换相过电压的抑制效果较差。励磁功率柜一般采取多柜并联方式，某一柜的阻容损坏后，其吸收过电压的任务，就会转移到其他柜的阻容上。由于大功率柜较中小功率柜并联数少，一旦某一柜的阻容损坏，其他柜的阻容吸收能力就明显不足，此时用示波器可发现，可控硅阳极电压上叠加的换相过电压明显上升。另外，由于电容易发生漏液情况，因而运行中的电容值不断下降，抑制晶闸管过电压的效果也就越来越差。 分析上述问题，我们发现阻容设计传统方法存在三个问题：（1）在大晶闸管的阻容经验数据表中，电阻偏小，这对于限制电容的充放电流以及降低电阻的运行温度都不利。（2）电容的耐压水平，按晶闸管的额定电压选择不合理，应按照可控硅整流装置的阳极电压来选择，因为大功率柜的晶闸管额定电压都很高，市场上很难找到合适电压等级的电容器。（3）国内文献中电阻功率计算公式，没有考虑阳极电源中的谐波分量。事实上，流过电阻上的电流是一个尖峰电流，谐波分量非常大，只考虑了基波分量来设计电阻功率，显然是不够的。 综合以上分析，我们不难看出，在选择阻容参数时存在抑制过电压水平与控制电阻发热之间的矛盾。如果希望阻容吸收效果好，就要加大电容值，那么电阻功率也相应增大。我们曾作过一个试验，使用1625A/4200V晶闸管，在阳极电压500V情况下，如果要将尖峰过电压抑制在3倍阳极电压以内，电容需选择4.7μF，其电阻功率将达到600W,按单个功率柜装设一个三相全控桥考虑，电阻总功率将达到3.6kw。这种选择显然不现实也不科学。如果电容值选择得过小，那么电阻功率也就很小，但吸收效果就很差。如果单纯为了降低电阻发热功率而将电容值选得很小，使过电压不能被抑制在阳极电压的5倍以内，是比较危险的，这样等于没有阻容保护，晶闸管将随时有被过电压击穿的可能。我们知道，阻容保护回路的作用是将晶