xg2009第6章 变容管及门-罗关系式.ppt

第6章变容管及门-罗关系式 本章内容 复习 引言 微波变容二极管 非线性电容中的能量关系及其应用 复习 复习 复习 引言 引言 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 微波变容二极管 * 西安电子科技大学微波技术研究所 Ch.6变容管* * 西安电子科技大学微波技术研究所 Ch.6变容管* 西安电子科技大学电子工程学院 微波技术研究所 雷振亚、李磊 混频器电路的构成原则 信号和本振均能有效地加到混频器二极管上,本振幅度可调,信号损失少。 本振—信号—中频端口之间要充分隔离20dB。 信号、中频、直流均有自己的通路，高次谐波能被充分滤除。 混频器电路的构成类型 单端混频器 镜像匹配 单平衡混频器 镜像匹配 双平衡混频器 镜像匹配 镜频回收混频器 镜像回收 ? 单端混频器 微带、同轴结构。 优点：最简单的混频器电路. 缺点：要求本振功率大，噪声系数大(本振引入的噪声)。 ★ 单平衡混频器 优点:抑制本振噪声及部分寄生频率，端口隔离度高， 增大动态范围，提高管子抗烧毁能力，有效利用本振功率。 实现形式：本振反相型（180度） 微带环行桥，微带分支线，波导正交场，波导魔T 特点： n为偶数的高次谐波电流被完全抵消，只剩下奇次谐波电流，所以电路本身抵消了一半高次谐波电流分量。 实现形式：π/2型（90度）移相型平衡混频器 3dB定向变阻定向耦合器 特点：加到两管上的信号本振相位差均为π/2 同本振反相型一样也能消除本振噪声和部分高次谐波分量。 双平衡混频器 微带、同轴、共面波导结构。 实现形式：四管位于环行桥四臂。本振和信号分别加于两臂。中频从两变压器次极中心抽头取出。 优点：抑制本振噪声和高频互调干扰更有效。信号-本振更好隔离。管子动态范围大，抗烧毁更好。 镜像回收混频器 镜像短路单端混频器、镜像开路平衡混频器 实现形式：在管子输入端加串、并联谐振通路接地，谐振频率为镜频 ，形成镜频短（开）路，并且位置要调整到刚好使镜频和本振二次混频后的中频和一次混频的中频同相叠加。 优点：可回收镜频能量，提高混频器性能。 从频域观点来看，上变频的工作过程与下变频器的工作过程正好相反，它是将信号频谱从中频搬移至射频。倍频是将微波信号频率按整数倍增长。实现上变频和倍频的方法，最简单的是用非线性电阻或电抗，利用其非线性进行频率变换。 但上变频器的工作电平较高，输入电平一般在-20dBm左右，输出信号电平在0～10dBm之间，因此非线性电阻变频损耗太大而很少采用，多用非线性电抗器件如变容二极管和阶越恢复二极管。 利用MES FET器件，如单栅FET,双栅FET作上变频器和倍频器已经越来越大，其具有工作稳定，频带宽，输出功率大，有变频增益，易于集成电路使用等优点；发展很快。 上变频器主要应用于微波发射电路中，下图为发射机上变频器方框图，图中70MHz中频为已调信号，本振频率较低,只有500MHz ，它比微波频率振荡器容易制作，其频率稳定度较高，若采用FET三次倍频，再经过混频，可到1.5GHz微波信号。 倍频器主要用于产生微波功率源，用它可以获得高于微波振荡基波频率的信号源。对连续波振荡倍频器，多采用变容二极管和阶越恢复二极管，前者倍频次数不高（一般在5倍频以下），但功率较大，频率可到达毫米波波段，后者多用于小功率的高次变频，已可达到Ku波段(12-18GHz)。 变容管:变容管是一个极重要的微波半导体元件。 PN结的结电容(主要是势垒电容)随着外加电压的改变而改变，利用了这一特性可以构成变容二极管（简称为变容管）。变容管作为非线性可变电抗器件，可以构成参量放大器、参量变频器、参量倍频器(谐波发生器)、可变衰减或调制器等。 变容管有平面型和台式型两种管芯，由于工艺的需要及为了加强机械强度，两种管芯结构都采用一层低电阻(重参杂)的N+型衬底，在衬底表面上外延生长出一层电阻率不同的N型薄层，在其上制作二氧化硅保护层，再利用光刻和氧化扩散的办法形成一层P型层，一般是P+，最后在两面都形成金属与半导体的欧姆接触而制作电极引线，进行适当的封装而形成二极管。