异质结的电学特性.ppt

注意：对于同型异质结，所谓的正向偏压也是指削弱内建电场VD的方向。同型异质结的内建电场和反型异质结相比要小得多，这意味着同型异质结的整流特性所能施加的电压范围也很小，超过这个范围异质结就会被击穿。 2.1.5 界面复合模型 由于异质结是两种不同的材料形成的，难以做到晶格常数和热膨胀系数的完全匹配，在制备和热处理过程中，在界面必然存在大量的挂键和缺陷。悬挂键和缺陷能级可能处于禁带中而形成界面态，它对载流子的输运有很大影响。由热发射越过各自势垒的电子和空穴，在界面处快速复合，称为界面复合机构。 qV Eg2 Eg1 1 2 界面复合模型示意图 界面复合模型的电流和电压特性取决于势垒高度大的肖特基二极管，若 ，则有： 其中， ， 为有效里查逊常数。界面 复合模型的正向电流和扩 散（发射）模型相同，它 和扩散模型、发射模型一 样都与温度有关，但比扩 散模型、发射模型更为强 烈。 Ln J V 300 K 77 K 界面复合模型lnJ和V曲线的温度特性 （2.22） 2.1.5 隧道复合模型 异质结界面上处于禁带中的界面态也可以作为隧道复合的中间能级，有助于载流子通过界面态隧穿到对方区域，和相反型号载流子复合，这就是隧道复合模型。 Eg2 Eg1 正偏pN异质结隧道复合过程示意图 材料2中的电子借助于 界面态以隧穿的方式 进入材料1与空穴相复合，隧穿复合过程可以是一阶的，也可以是多阶的 对于一阶隧道复合过程，正向电流为： 其中，Atr是一个与温度弱相关函数，Btr取决于输运区的电子有效质量、介电常数、平衡载流子浓度和势垒的形状。假设势垒的形状是线性的，即势垒中的电场是不随位置变化的常数，对于上图所示的隧道复合过程，取n20=ND2，有： Btr 是一个温度无关的常数，因此隧道复合电流 lnJ 和外加电压V 曲线的斜率与温度无关，和简单隧道模型相同也是一组平行线。 （2.23） （2.24） 一阶隧道复合模型的理论值与实验值符合得不够好，这是因为隧道复合电流不仅和界面态能级的数量有关，还和界面态能级的性质有关。界面态能级对电子的俘获和释放将改变势垒的高低和形状，从而影响载流子的输运。至于多阶隧穿复合模型，因为界面态情况的复杂性，它的定量计算还是很困难。 Eg2 Eg1 正偏pN异质结隧道复合过程示意图 对于一阶过程，假设势垒的形状是线性的，隧穿过程主要在材料2区，反向电流为： 反偏pN异质结隧道复合过程示意图 Eg2 Eg1 （2.25） 300 K 77 K 一般说来，异质结中往往同时存在多种电流输运机构，右图是典型的 pN 结 lnJ 和 V 的实验曲线，曲线有一个明显的转折点。从它的温度特性可以看出，转折点之下的曲线斜率与温度相关，是扩散电流输运机构或发射电流输运机构；转折点之上的曲线斜率与温度无关，是隧道电流输运机构。 典型的pN结 lnJ和V曲线的温度特性 lnJ V 2.2 反型异质结的注入特性 2.2.1 高注入特性 由于反型异质结界面两侧的载流子所面对的势垒高度有明显的差别，正向偏压时一种载流子的注入电流会显著的超过另一种载流子的注入电流。以pN结为例，所谓的注入比是指N区向P区注入的电子电流与p区向N区注入的空穴电流之比。 为了比较，先看同质结的注入比： 对于同质结注入比，界面两侧的掺杂浓度起支配作用，要获得高注入比，必须NDNA，即发射区的材料要高掺杂，然而高掺杂会带来晶体质量、载流子简并等一系列问题，使实验研究和理论分析复杂化。 （2.26） 不考虑导带的尖峰势垒，得到的电子扩散电流和空穴扩散电流为： 两式之比就是注入比，当杂质全部电离时，取n20=ND2, p10=NA1，得： （2.27） 对于异质结只要选择宽带材料作为发射区就可以获得很高的注入比，而不必像同质结那样刻意追求高掺杂浓度 2.2.2 超注入特性 反型异质结的另一个重要特性是超注入，它是由Alferov在1967年首先提出。即在一定的正向偏压条件下，注入到窄带材料中的少数载流子浓度可以超过宽带材料的多数载流子浓度。 对于非简并半导体，同质结两侧同种载流子关系为： 正向偏压下从n区克服势垒qVD注入到p区的少数载流子（电子）浓度Δn约等于np，它随着正向偏压逐渐加大而不断增加。 （2.28） 异质结情况则不同，由于能带带阶的存在，qVD已经不再代表势垒高度，对于负尖峰势垒的pN结，电子从 N 区注入到p区克服势垒变为（qVD-ΔEc） （2.2） （2.29） 平衡形式 非平衡形式 当正向偏压满足下列条件时： 就有Δnn2,即实现了超注入。 （2.30） 2.3 突变同型异质结 2.3.1 发射模型