弥散强化铜及掺杂对其性能影响.pptx

弥散强化铜材料简介及界面掺杂对其性能影响 主要内容 铜及弥散强化铜简介 弥散强化的机理 弥散强化铜主要制备方法 弥散强化铜的界面掺杂 待解决的问题 铜及弥散强化铜简介 铜 铜及弥散强化铜简介 铜 元素符号Cu ，原子序数29，原子量63.546，密度为8.89g/cm3 熔点1083℃ 电阻率1.724×10-2 µΩ·m 导热率400W/m·K 铜及弥散强化铜简介 铜的力学性能 室温下延展性：30%~45%（软态）、4%~6%（硬态）； 抗拉强度：216~235MPa（软态）、363~412MPa（硬态） 中碳钢的σb为600～1100MPa 纯铜冷轧后在82℃长时间停留，强度即回复到冷轧前的状态 铜及弥散强化铜简介 铜 提高强度：应变强化、固溶强化等 固溶强化：易发生再结晶、固溶强化大大降低材料导电率，适于室温用铜材料 用第二相强化来提高性能：弥散强化 对运动电子的散射作用：溶质原子引起的点阵畸变＞第二相界面 铜及弥散强化铜简介 弥散强化铜 弥散强化铜基复合材料，是指在铜基体中直接加入或通过一定的工艺原位生成弥散分布的第二相颗粒。 综合利用形变强化和弥散强化获得高强度，同时尽量降低固溶态的溶质原子和杂质含量以获得高导电性和高导热性。 铜及弥散强化铜简介 弥散强化铜种类（按增强体分类） 氧化物弥散强化铜，如A12O3、SiO2、TiO2、MgO、ZrO2等； 碳化物、氮化物等弥散强化铜，如WC/Cu、 BN/Cu等； 金属间化合物弥散强化铜，如Ni3Al等； 目前以A12O3p/Cu基复合材料性能最优（以下内容将以A12O3p/Cu 为例进行说明） 铜及弥散强化铜简介 弥散相粒子的选择 （1）具有高度化学稳定性和结构稳定性； （2）不溶于基体，不与基体发生反应 （3）基体与弥散相之间的界面能要低 铜及弥散强化铜简介 弥散强化铜具有良好的物理性能 IACS: International Annealed Copper Standard。用来表征金属或合金的导电率（参比于标准退火纯铜）。一般定义标准退火纯铜的导电率为100%IACS，既是5.80E+7(1/Ω·m）或58(m/Ω·mm2 ) 铜及弥散强化铜简介 弥散强化铜良好的抗软化性能 弥散强化机理 1、屈服强度问题 Orowan机制（位错绕过机制） 适用于第二相粒子较硬并与基体界面为非共格的情形 切割机制 适用于第二相例子较软并与基体共格的情形 2、蠕变问题 金属在恒定应力下，除瞬时形变外还要发生缓慢而持续的形变，称为蠕变 （1）弥散相是位错的障碍，位错必须通过攀移始能越过障碍 （2）第二相粒子沉淀在位错上阻碍佐错的滑移和攀移 弥散强化机理 1、屈服强度问题 Orowan机制 在障碍处位错弯过角度 θ ，障碍对具有柏氏矢量b的位错的作用力F将与位错的线张力T保持平衡 F=2Tsin θ 当θ=π/2时，作用于位错的力F最大 弥散强化机理 1、屈服强度问题 Orowan机制 用线张力的近似值 （G是切变模量），临界切应力 （ 是位错线上粒子间的距离）代入上式，则可得 所以 屈服应力与粒子间距成反比，粒子间距越小，材料的屈服强度越大 弥散强化机理 2．蠕变问题（第二相粒子沉淀在位错上阻碍位错的滑移和攀移） 弥散强化铜的抗蠕受能力与抗回复能力有对应关系 弥散粒子被这些位错乱网所联结。由于乱网中位错密度很高，造成强烈的应变硬化；同时，粒子又阻碍这些位错的滑移与攀移，因而得以保持这种硬化状态而不产生回复。这一过程是提高耐热强度的关键。 弥散强化铜的主要制备方法 制备工艺 常用的为内氧化法和机械合金化法 粉末制备 内氧化法 机械合金化法 压制成型 烧结 加工成型 弥散强化铜的主要制备方法 内氧化法工艺流程 弥散强化铜的主要制备方法 机械合金化法 Cu粉 Al2O3粉末 高能球磨 混合粉末 氢气还原 还原粉末 压制 压坯 烧结 烧结体 后续加工 加Ar为保护气体 升降温通Ar，保温通氢气 弥散强化铜的界面掺杂 掺杂的原因 增强体与基体的界面结构是影响复合材料行为的关键因素； 界面的三种类型： 平整界面、交错界面、反应层界面。 界面结合形式： 机械结合、溶解和浸润结合、反应结合、氧化结合、混合结合。 弥散强化铜的界面掺杂 掺杂的原因 金属与氧化物界面有着较多