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维修电工技师理论培训讲义 第一部分 电子技术基础 本节应重点拿捏各种典型电子电路的功能、工作原理、性能指标和分析方法、 电力半导体器件的结构、原理、特性和主要参数、使用与保护知识。 模拟电子电路 一、晶体管放大电路 放大电路的特点是电路中同时存在直流量和交流量，而且晶体管是非线性器件。 电压放大电路一般工作在小信号状态，即输入信号为mV级，甚至更小，而电路各处电流也较小。电压放大电路的重点是电压放大性能，即要求电压放大倍数足够大，输出波形不失真，工作稳定。 静态工作点 静态工作点稳定的放大电路 直流回路 集成运算放大器 数字电子电路 数字信号是一种二值信号，用两个电平（高电平和低电平）分别来表示两个逻辑值（逻辑1和逻辑0）。 有两种逻辑体制： 正逻辑体制规定：高电平为逻辑1，低电平为逻辑0。 负逻辑体制规定：低电平为逻辑1，高电平为逻辑0。 下图为采用正逻辑体制所表的示逻辑信号： 集成触发器 双稳态触发器简称触发器，它具有两个稳定的工作状态．在适当的输入信号作用下，两种状态可以转换，当输入信号消失后，触发器状态保持不变。触发器具有记亿和存储的功能，它在某一时刻的输出不仅和当时的输入状态有关，而且还和在此之前的电路状态有关。 RS触发器 功能表 电力半导体器件 常用的电力半导体器件有： 普通晶闸管（SCR）、 门极关断晶闸管(GTO)、 电力晶体管(GTR)、 电力MOS场效应晶体管(MOSFET）、 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、 MOS栅控晶闸管(MCT) 功率集成电路(PIC)等 电力晶体管 电力晶体管(简称GTR)属于电流控制型器件，是一种耐压高、电流容量大的双极型大功率品体管。其基本结构和工作原理与小功率晶体管类似，也有PNP型和NPN型两种。 在电力电子技术中，电力晶体管作为大功率的开关器件，主要工作于截止和饱和两种状态 安全工作区（SOA） 最高电压UCCM、集电极最大电流ICM、最大耗散功率PCM、二次击穿临界线限定 GTR的二次击穿现象 ??? 一次击穿 ?集电极电压升高至击穿电压时，IC迅速增大，出现雪崩击穿 ?? 只要IC不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变 ?? 二次击穿 ?? 一次击穿发生时IC增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降 ?? 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 GTR的基极驱动 GTR具有控制方便、开关时间短、高频特性好和通态压降较低等优点，其主要缺点是存在局部过热引起的二次击穿现象。目前，GTR的最大容量为1200V／400A，最佳工作频率约为1—10kHz，适用于500V·A以下的应用场合。 电力场效应晶体管 电力MOSFET的特点是驱动简单。驱动功率小，而且开关时间很短，一般为ns数量级，工作作频率可达：50—100kHz，其控制较为方便。热稳定性好风没有二次击穿现象，耐过流和抗干扰能力强，安全工作区(S0A)宽，但其容量较小，耐压较低。目前．电力M0SFET的耐压等级为1000V．电流等级为200A，因此电力M0SFET 现主要用于各种小容量电力电子装置。 绝缀栅双极型晶体管(IGBT） 绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)是由单极型MOS管和双极型GTR复合而成的新型功率器件，它既具有单极型MOS管的输入阻抗高、开关速度快的优点，又具有双极型电力晶体管的电流密度高、导通压降低的优点。 器件电流的选择 选择器件的额定电流时，必须考虑到不同器件额定电流的表示方法有所不同，如普通晶闸管、快速晶闸管的额定电流是工频正弦半波电流(波形系数Kf＝1.57)平均值，而双向晶闸管用电流的有效值表示，GTO、GTR、MOSFET和IGBT等则用电流的峰值表示，因此必须根据实际使用的器件来选择器件的额定电流。 电力电子器件器件的保护 过电压的产生及过电压保护 过电流保护 缓冲电路 过电压的产生 外因过电压：主要来自雷击和系统操作过程等外因 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 雷击过电压：由雷击引起 内因过电压：主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后，反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。 关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。 过电压保护 过电压保护措施 过电流保护 过电流——过载和短路两种情况 过电流保护 全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。 短路保护：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。 对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护。 常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快