数字电子技术_第二章 逻辑门电路.ppt

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数字电子技术_第二章 逻辑门电路

* [题2.5] 在图P2.5由74系列TTL与非门组成的电路中,计算门GM能驱动多少同样的与非门。要求GM输出的高、低电平满足 与非门的输入电流为 时输出电流最大值为 , 时输出电流最大值为 GM的输出电阻可以忽略不计。 答案: 当VO=VOL=0.4V时,可求得 当VO=VOH=3.2V时,可求得 故GM能驱动5个同样的与非门。 * 四、门间限流电阻的确定 R 1 1 R G1 G2 为了保证G1输出的高、低电平能正确地传输到G2的输入端,门间限流电阻R不能太大,要求: 1、当UO1=UOH 时, UI2≥UIH(min)应满足 此时,门间电流流向如图, UOH UIH IIH 所以,下式应满足: UOH - IIH ·R ≥UIH(min) (1) …… 2、当UO1=UOL 时, UI2≤UIL(max)应满足 所以,下式应满足: UOL + IIL ·R ≤UIL(max) (2) …… 此时,门间电流流向如图, UOL UIL IIL 根据(1)、(2)式可确定门间连接电阻R的数值。 通常,R≤1KΩ。 1 G1 1 G2 见书上P69 例题2.4.2 * 门电路带负载能力 负载能力就是说能够在一定的电压下面能够输出的最大电流 折算成功率就成了 负载能力 同门电路的输出电阻有关 输出电流和输出功率越大,说明门电路带负载能力越强 即输出电阻越小,带负载能力越强(从门电路的输出端向里看) * TTL与非门电路 输入级由多发射极晶体管T1和基极电组R1组成,它实现了输入变量A、B、C的与运算 输出级:由T3、T4、T5和R4、R5组成 其中T3、T4构成复合管,与T5组成推拉式输出结构。具有较强的负载能力 中间级是放大级,由T2、R2和R3组成,T2的集电极C2和发射极E2可以分提供两个相位相反的电压信号 * TTL与非门工作原理 ? 输入端至少有一个接低电平 0 .3V 3 .6V 3 .6V 1V 3 .6V T1管:A端发射结导通,Vb1 = VA + Vbe1 = 1V, 其它发射结均因反偏而截止. ? 5-0.7-0.7=3.6V Vb1 =1V,所以T2、T5截止, VC2≈Vcc=5V, T3:微饱和状态。 T4:放大状态。 电路输出高电平为: 5V * ? 输入端全为高电平 3 .6V 3 .6V 2.1V 0 .3V T1:Vb1= Vbc1+Vbe2+Vbe5 = 0.7V×3 = 2.1V 因此输出为逻辑低电平VOL = 0.3V 3 .6V 发射结反偏而集电极正偏.处于倒置放大状态 T2:饱和状态 T3:Vc2 = Vces2 + Vbe5≈1V,使T3导通,Ve3 = Vc2-Vbe3 = 1-0.7≈0.3V,使T4截止。 T5:深饱和状态, TTL与非门工作原理 * ? 输入端全为高电平,输出为低电平 ? 输入至少有一个为低电平时,输出为高电平 由此可见电路的输出和输入之间满足与非逻辑关系 T1:倒置放大状态 T2:饱和状态 T3:导通状态 T4:截止状态 T5:深饱和状态 T2:截止状态 T3:微饱和状态 T4:放大状态 T5:截止状态 TTL与非门工作原理 * 集电极开路TTL“与非”门(OC门) 1 0 该与非门输出高电平,T5截止 该与非门输出低电平,T5导通 ? TTL门输出端并联问题 当将两个TTL“与非”门输出端直接并联时: Vcc→R5→门1的T4→门2的T5产生一个很大的电流 产生一个大电流 1、抬高门2输出低电平 2、会因功耗过大损坏门器件 注:TTL输出端 不能直接并联 * TTL与非门电路 集电极开路TTL“与非”门(OC门) ? ? OC门的结构 RL VC 集电极开路与非门(OC门) 当输入端全为高电平时,T2、T5导通,输出F为低电平; 输入端有一个为低电平时,T2、T5截止,输出F高电平接近电源电压VC。 ? OC门完成“与非”逻辑功能 逻辑符号: 输出逻辑电平: 低电平0.3V 高电平为VC(5-30V) A B F ? * ? OC门实现“线与”逻辑 F RL VC 相当于“与门” 逻辑等效符号 ? 负载电阻RL的选择 (自看作考试内容,参考P81 例2.4.4) 集电极开路TTL“与非”门(OC门) * 集电极开路TTL“与非”门(OC门) ? OC门应用--电平转换器 OC门需外接电阻,所以电源VC可以选5V—30V,因此OC门作为TTL电路可以和其它不同类型不同电平的逻辑电路进行连接 TTL电路驱动CMOS电路图 CMOS电路的VDD = 5V—18V,特别是VDDVCC时,必须选用集电极开路(OC门)TTL电路 CMOS电源电压VDD = 5V时,一般的TTL门可以直接驱动CMOS门 * 三态

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