第2章 二极管student.pptVIP

Eg.5 全波整流电路　　　 设二极管为理想二极管 解：当vS 0时： D2、D4导通 vs + D2 RL D4 vs - vL = vs 当vs 0时： D1、D3导通 vs + D1 RL D3 vs - vL = - vs §2.5 特殊二极管 光电二极管 发光二极管 激光二极管 齐纳二极管 变容二极管 光电子器件 肖特基二极管 2.5.1　齐纳二极管：　　　（稳压管 Zener diode） 一、结构及符号： 1. 结构：特殊工艺制造的面结型Si管，管子掺 杂浓度大。 2 符号： 二、工作原理： 　　利用二极管反向击穿特性实现稳压。 三、伏安特性： 四、主要参数　 (1) 稳定电压VZ 反向击穿电压 (2)稳定电流IZmin  稳压管正常工作时的最小工作电流。 (3) 最大耗散功率 PZM  取决于PN结的面积和散热等条件。 反向工作时，PZM= VZ IZ　 　　IZmax （最大稳定工作电流） 五、基本稳压电路： 稳压管工作必要条件：　 ?工作在反向击穿状态 ?串入限流电阻Ｒ：IZmin ＜ IZ ＜ IZmax　　 1. 两个稳压管DZ1、DZ2稳压值分别为6V 、7V且它们的正向导通压降为0.6V，求电路输出电压。 复 习 思 考 题 VO=7.6V (a) (b) DZ1正向导通、DZ2反向击穿 DZ1反向击穿、DZ2反向截止 VO=6V 2.稳压管的稳压值VZ＝6V。求电路中VO1和VO2? 复 习 思 考 题 解：(a) VN1 VN2 DZ反向击穿， VO1＝6V DZ反向截止， VO2＝5V 3.电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 重点：半导体二极管的V-I特性及主要参数。二极管的基本电路及分析方法。 稳压管工作原理及应用。 难点：二极管的基本电路及分析方法。 本章小结 1. 电路如图1，所有二极管为理想二极管。请判断二极管工作状 态，并求出电路输出电压V AO 本 章 作 业 图1 2. 电路如图2，二极管为理想二极管，已知vi＝5sinωt (V)，试画出输出电压vO的波形，并标出幅值。 3. 电路如图，稳压管DZ稳压值为8V，正向导通电压为0.7V ，限流电阻R=3K? ，输入信号vi=15sin(?t) (V),请画出输出电压 波形。 本 章 作 业 图2 vi vO 图3 vi vO * 邻 * * 基本要求： 1 了解半导体器件内部物理过程；2 理解二极管工作原理、主要参数、使 用方法； 3 掌握二极管外特性、二极管基本应用 电路及其分析方法。 第二章 二极管及其基本电路 §2.1半导体基本知识 半导体器件特点： 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高。 2.1.1 半导体材料： ρ(Ω-cm ) 10+9 10-3 导体如金属等 绝缘体如橡皮、塑料等 典型半导体：硅Si、锗Ge、 半导体 一、半导体的特性： ?光敏特性: 光照? ? 导电率? ?导电能力?? ?掺杂特性 ：纯净半导体中加入少量有用杂质 导电能力急剧增加。（如：B、P） 二、根本原因： 半导体的结构 ?热敏特性: 温度?? 导电率? ?导电能力?? 惯性核 2.1.2 半导体共价键结构： 价电子 一、常用Si 、Ge原子简化结构模型： (+14) (+32) 二、共价健结构： 共键价结构：每个价电子除受所属原子核的作  用，还受相邻原子核的作用。 （半导体材料具有晶体结构） 共价键 惯性核 共价键结构平面示意图： 束缚电子 共价键中的价电子 2.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 结构完整、完全纯净的半导体 一、本征半导体： 二、本征激发（热激发）： 温度升高，由于热运动的能量使共价键被破坏，晶体中产生载流子的现象。 自由电子 空穴  能自由运动的带电粒子 1 空穴： 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，这个空位叫空穴。 本征半导体 + 热激发 空穴(pi) 自由电子(ni) 本征半导体中: ni=pi 空穴带正电，电量为一个电子的电荷量。 2 空穴的移动： 半导体材料中的载流子：自由电子、空穴 杂质半导体：在本征半导体中掺入少量微量元素  （杂质，主要是三价或五价元素） 一、N