模电第2讲1.2.ppt

为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？怎样去判断半导体器件温度稳定性的好坏？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ §1.2 半导体二极管 2. 微变等效电路 二极管的几种折线化的伏安特性分别适用于什么场合？什么情况下应用二极管的微变等效电路来分析？ 能否将1.5V的电池直接以正向接法接到二极管两端？为什么？ 如何判断晶体管的三种工作状态？ 作业要求： 做题要求抄写题目（不要抄错题），相关的图表必须用直尺要画在作业上，需在图上标注的要标清楚； 做题步骤要完整； 每周交一次作业，同一周内的作业要写在一起上交； 注：发现作业有抄袭现象，一次平时成绩扣2分。 设D1、D2为理想二极管。① 若E2＜E＜E1。判别D1、D2状态，uo =？② 若E1、E2均小于E，但 E1＞E2。判别D1、D2状态，uo =？ 分析思路：分别观察每个二极管单独存在时，二极管两端的开路电压，可以判别该二极管导通或截止。 4、二极管电平选择电路 ① D1两端开路电压E-E1＜0，故D1截止；D2两端开路电压E-E2＞0，故D2导通。因此uo = E2。 ② 单独考虑D1：D1两端开路电压E-E1＞0，D1导通。因此uo = E1。单独考虑D2：D2两端开路电压 E-E2＞0，D2导通。因此uo = E2。 因为E1不等于E2时，若二者均导通，uo同时等于E1 、E2两个值，这是不可能的。因此，当E1不等于E2，单独判别D1、D2 都导通时，必然存在一个“竞争”或“优先导通”的问题。由于 E2＜E1，D2两端开路电压较大，起始电流较大，D2优先导通。使uo = E2，迫使D1截止。只有当E1 = E2＜E时，才出现D1、D2同时导通的情况，uo =E1 = E2。 由上述分析可以得出结论，当E1不等于E2，E1、E2均小于E时，uo总是等于E1和E2中的较小者。故称为二极管低电平选择电路。 重点：二极管应用及其等效电路分析方法 建立非线性器件的电路模型是分析非线性电路 的首要环节。 器件的工作状态、动态范围是选择电路模型的 主要依据。 电子器件、电子电路的模型分析是电子学的基 本内容和分析思路。 小 结 作业：P69 1.2 1.3 1.4 1.6 预习 P28-39 1.3 晶体三极管 * 模拟电子技术基础 回顾 二极管与PN结有什么联系？ 模拟电子技术基础 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 §1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 §1.2.3 二极管的等效电路 §1.2.4 二极管的主要参数 §1.2.5 稳压二极管 §1.2.2 二极管的伏安特性 §1.2.6 其它类型二极管 §1.2.7 二极管的应用 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率 二极管 稳压 二极管 发光 二极管 §1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 ? 晶体二极管的结构类型 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 PN结面积小，结电容小， 故结允许的电流小， 最高工作频率高。 用于检波和变频等高频电路 PN结面积大，结电容大， 故结允许的电流大， 最高工作频率低，用 于工频大电流整流电路 往往用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，小的工作 频率高，大的结允许的电流大， 用于高频整流和开关电路中。 §1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 死区特性 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 §1.2.2 二极管的伏安特性 硅 管 0 0. 8 反向特性 正向特性 击穿特性 0 0. 8 反向特性 锗 管 正向特性 mA / D i V / D u mA / D i V / D u 几十μA 0.1~0.3V (0.2V) 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.6~0.8V (0.7V) 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 §1.2.2 二极管的伏安特性 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑ → 正向特性左移，反向特性下移 T（℃）↑ → 电流i不变情况时，端电压u↓ → 反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃ §1.2.2 二极管的伏安特性 （b）代表符号 uD （a）U-I 特性 uD （1）理想模型 适用场合：电源电压远远大于二极管导通压降。 特点：误差最大。 §1.2.3 二极管的等效电路 1. 由伏安特性折线化得