物理学研究进展-巨磁电阻篇.doc

物理学研究进展 巨磁电阻 众所周知，许多物质在外磁场作用下都可观察到磁致电阻效应，但一般材料最大只有2％～3％。l988年，法国巴黎大学的巴西学者Baibich等首次报道了FeCr超晶格的磁电阻变化率达到50％，比通常的磁电阻效应大一个数量级，而且远远超过多层膜中Fe层磁电阻变化的总和，这一现象被称为巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance，简记为GMR)。GMR效应原理 GMR效应理论复杂，不同类型材料的作用机理不同。且多数仍在探索中，目前以二流体模利定性解释磁性多层膜GMR效应较为成熟。该模型中铁磁金属的电流南自旋向上、向下的电了分别传输，自旋磁矩方向与区域磁化方向平行的传导电子受的散射小，电阻率低。磁性多层膜相邻磁层的磁矩反铁磁耦合时，自旋向上、向下的传导电子在传输过程中分别受周期性的强、弱散射而表现为高阻态；相邻磁层在外加磁场作用下趋于平行时，自旋向上的传导电子受较弱的散射而构成低阻通道，自旋向下的传导电子则受强散射形成高阻通道，因两通道并联，故多层膜表现为低阻状态。 巨磁电阻材料 为了满足应用的要求，对GMR材料的主要要求是：高的室温GMR效应，即由外加磁场引起的室温电阻变化率高；低的工作磁场，即在较低的外加磁场强度下得到高的MR；高的稳定性，即环境条件(温度、湿度、振动等)变化时，MR的变化要尽量小。就目前研究热点的几类GMR材料，可以说是各有特点。 目前，已发现具有GMR效应的材料主要有多层膜、自旋阀、颗粒膜、磁性隧道结和氧化物超巨磁电阻薄膜等5大类。 磁性金属多层膜 铁磁层(Fe，Ni，Co及其合金)和非磁层(包括3d，4d以及5d非磁金属)交替重叠构成的金属磁性多层膜常具有巨磁电阻效应，其中每层膜的厚度均在纳米量级。目前最常用的制备金属多层膜的方法主要由溅射、蒸发和分子束外延。试验结果表明，具有反铁磁耦合的磁性多层膜结构中，各层磁矩反向平行时电阻最大，平行时电阻最小。且GMR随多层膜周期数增加而增大，当总膜厚与平均自由程相当时，GMR趋于饱和。 多层膜是最早和最广泛被研究的对象，遗憾是在多层膜系统中，较大的磁电阻变化往往伴随着较强的层间交换耦合作用，只有在强磁场的作用下才能改变磁矩的相对取向。而且电阻的变化灵敏度仅为0.3％Oe(自由层)/隔离层(非磁性层)/铁磁层(钉扎层)/反铁磁层4层组成。 通常磁性多层膜中由于存在较强的层间交换耦合，因此磁电阻的灵敏度非常小。但当两磁层被非磁层隔开后，使相邻的铁磁层不存在(或很小)交换耦合，因此在较小的磁场下就可使相邻层从平行排列到反平行排列或从反向平行排列到平行排列，从而引起磁电阻的变化，这就是所谓自旋阀结构。一般自旋阀结构中被非磁性层隔开的一层是硬磁层，其矫顽力大，磁矩不易反转；另一层是软磁层，其矫顽力小，在较小的磁场作用下，就可以自由反转磁矩，使电阻有较大的变化。自旋阀大小取决于两铁磁层磁矩(自旋) 相对取向，故称自旋阀。自旋阀昕表现出的高灵敏度特性，使它成为在应用上首先得到青睐的一类巨磁电阻材料。 自旋阀具有如下优点：磁电阻变化率对外磁场的响应呈线性关系，频率特征好；低饱和场，工作磁场小；与各向异性磁电阻相比，电阻随磁场变化迅速，因而操作磁通小，灵敏度高；利用层间转动磁化过程能有效地抑制Barkhausen噪声，信噪比高。因此，它率先进入实用化阶段；但它较小的GMR效应又显得美中不足。目前自旋阀面临的最大问题是抗腐蚀和热稳定问题，解决的途径是使反铁磁层具有高电阻、耐腐蚀且热稳定性好。 金属颗粒膜 所谓金属颗粒膜，是指铁磁性金属(如Co，Fe等)以颗粒的形式分散地镶嵌于非互熔的非磁性金属(如Ag，cu等)的母体中。其巨磁电阻效应普遍认为是来源于自由传导电子在颗粒与母体之间的界面上及磁性颗粒内部的自旋相关散射，与多层膜结构的巨磁电阻效应的起源极为相似。外磁场的作用是改变磁性颗粒磁化强度的方向，从而改变了自旋相关散射的强度。颗粒膜中的巨磁电阻效应目前以Co-Ag体系最高，在液氮温度可达55％，室温可达20％。与多层膜相比，颗粒膜的优点是制备方便，一致性、重复性高，成本低，热稳定性好。所存在的问题是饱和磁场通常高于多层膜。这是由于颗粒膜结构的特殊性，相应需要很高的外场去克服颗粒的各向异性能，才能实现电阻率的较大变化。故颗粒膜虽具有较大GMR效应，但由于饱和磁场高，使其应用范围受到了一定限制。进一步研究的方向是降低磁饱和场，提高磁场灵敏度。一旦在降低饱和磁场上有所突破，将存在很大的潜力。 磁性隧道结 通过两个铁磁金属膜之间(如Cr，C0，Ni或FeNi)的金属氧化物势垒(如Al2O3 )的自旋极化隧穿过程也可以产生GMR效应.。这种非均匀磁系统，即铁磁金属/绝缘体/铁磁金属(FM-I-FM)三明治结构通常称为磁隧道结(Magnetic Tunn