特种半导体器件(工程硕士).ppt

主要内容 微波半导体器件 半导体光电器件 半导体异质结及器件 微机电系统及传感器 第一部分、微波半导体器件 第二次世界大战期间，点接触二极管用于雷达中作混频和检波。50年代出现了变容二极管和隧道二极管；60年代前期，出现了肖特基势垒二极管，PIN二极管，阶跃恢复二极管，体效应和雪崩二极管；60年代后期，双极晶体管发展进入微波领域，70年代GaAs MESFET发展迅速。90年代出现新型微波器件HEMT、HBT.。其余器件水平发展趋于饱和。 40、50年代，微波波导+微波真空器件构成微波波导电路。 60年代，微波半导体器件+陶瓷介质基片组成微波混合集成电路。 90年代开始，GaAs、Si衬底基片上直接制作器件和电路元件构成微波单片集成电路（Monolithic Microwave IC ，MMIC）。 微波器件特点 a、变阻，如正向偏压下的点接触二极管、肖特基二极管 b、变容，如反偏下的PN结—变容二极管 c、可控阻抗，直流偏置对PIN二极管I区载流子浓度的调节 d、负阻器件，隧道二极管、体效应二极管，在强电场下，载流子漂移滞后电场π/2，即电流滞后电压π/2，产生负阻。 e、器件与电路关系密切，相互依赖。 f、器件与电路对材料和封装依赖大，相同参数器件可能有多种封装，如同轴、微带、梁式引线、芯片等。 g、高技术、高难度，如大功率微波双极器件，由多个元胞构成，其工艺难度不亚于VLSI。 h、高价格，军事与高科技民用，如有些器件￥10000。 微波器件运用与种类 混频 点接触二极管、肖特基二极管 接收 检波 点接触二极管、肖特基二极管 放大 BJT、FET、HEMT、HBT 开关 PIN、变容、肖特基 衰减 PIN 控制 限幅 PIN、变容、肖特基 调谐 变容 调制 PIN、变容 振荡 BJT、FET、HEMT、HBT 发射 倍频 阶跃恢复二极管、变容 微波集成电路 同轴波导电路 精密测量、大功率发射 微波混合集成电路 通信、雷达、电子对抗 微波单片集成电路 通信、宇航 微波频段的划分 通常，1至30GHz的厘米波范围被称为微波，波长范围30—1cm；30至300GHz为毫米波，波长范围10—1mm。 第一章 肖特基（Schottky）势垒二极管 金半接触分肖特基接触和欧姆接触，金半接触肖特基势垒二极管由点接触二极管发展而来，点接触二极管是最早应用的微波半导体器件。 点接触二极管中，触丝的粗细、接触面、压力将决定其工作频段，故其重复性差，一致性不好。 设势垒区是耗尽层（耗尽层近似），施主杂质浓度为Nd，势垒厚度是 d0 ,一维泊松方程： 边界条件： 时， ； 时， 求解得： 能带弯曲： 热发射理论 伏安特性存在两种理论，当势垒厚度＞＞电子平均自由程，则载流子载流子在势垒中要经过多次碰撞，对应于扩散理论；而当势垒厚度＜＜电子平均自由程，载流子碰撞散射可以忽约，则对应于热发射理论，又称二极管理论。 概念上分两步，首先计算半导体中电子（空穴）浓度，其次计算动能大于势垒高度的电子浓度则得出载流子电流。 对非简并半导体，其电子浓度为 其中Nc为导带有效能级密度， 能量从 到 的电子浓度可表示为 采用经典近似考虑电子的能量为动能，可以写出： 因此可将dn化成电子浓度与速度的关系式， 由于只有向一定方向运动的电子才有可能穿过金半势垒产生电流，故对上述速度还需考虑其方向。而对速度空间坐标，有 以及 故有 从半导体到金属的电子电流密度为 其中, ，代入可得 当外加偏压V为零时，金半系统平衡，从半导体流向金属的电流等于从金属流向半导体的电流，故 因而总的电子电流为： 被称为里查逊（Richardson）常数。 图为钨-硅和钨-砷化镓二极管的正向电流密度与外加电压的关系，由正向I-V曲线在Y轴上的截距可以算出势垒高度。 由于多数载流子电流远高于少数载流子电流，肖特基二极管的饱和电流远高于具有相同面积的PN结二极管。因此，对于相