电力电子第2章——全控型器件.ppt

IGBT开关速度高，开关损耗小，1000V以上电压时，IGBT开关损耗是GTR的1/10，与电力MOSFET相当； 在相同电压和电流定额情况下，IGBT安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力； 在较大电流区域，IGBT通态压降比电力MOSFET低； IGBT与电力MOSFET的输入特性类似，输入阻抗高，驱动电路功率小； 与电力MOSFET、GTR相比，IGBT耐压和通流能力可进一步提高，同时保持高开关频率特点。 电力电子器件总结 * 自动化与信息工程学院电气工程系 --电力电子技术-- 2.4 全控型器件 Full-controlled Devices 主讲：孙向东、伍文俊 、宁耀斌 目录 门极可关断晶闸管 电力晶体管 电力MOSFET 绝缘栅双极晶体管 电力电子器件总结 * * §2.4.1 门极可关断晶闸管GTO(Gate-Turned-Off Thyristor) 一、结构与工作原理 1、结构： 多元集成元件，放射门极结构。它可以等效成多个小GTO元的集成(并联)---可实现门极控制关断。 对比晶闸管：中央门极结构 * 2、工作原理 与普通晶闸管相同，可采用双晶体管模型分析。开关速度高于普通晶闸管，di/dt承受能力大于晶闸管。 3、电气符号 晶闸管？ 二、工作特性 1、特点 1）门极可以控制开通，也可以控制关断； ----全控型 流控型器件 脉冲控制型 * 2、静态特性 伏安特性同晶闸管 4）单向导电性。 3）开关速度及di/dt承受能力高于晶闸管 2）开通条件：正向阳极电压，正向门极电压； 关断条件：门极加负脉冲（不能通过门极电流为零来关断） * 3、动态特性 1）开通过程： 开通时间： ton=td+tr O t 0 t i G i A I A 90% I A 10% I A t t t f t s t d t r t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t 6 * 2）关断过程： 关断时间: toff=ts+tf+tt 存储时间ts :IA—0.9IA 下降时间tf: 0.9IA—0.1IA 拖尾时间tt:远大ts O t 0 t i G i A I A 90% I A 10% I A t t t f t s t d t r t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t 6 抽取饱和导通时储存的大量载流子的时间 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小时间 残存载流子复合所需时间 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡。抽走存储载流子的速度越快，ts越小。若使门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍能保持适当的负电压，则tt越小。 * 3、最大可关断阳极电流IATO GTO通过负脉冲能够关断的最大阳极电流。它是GTO的额定电流。 4、电流关断增益βoff 最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。 一般很小，5~10。若1000A的GTO，门极负脉冲电流峰值为200~100A，很大，这是GTO的缺点。 Back 三、可关断晶闸管的主要参数 1、开通时间ton：延迟时间和上升时间之和，td=1-2us，tr随阳极电流增大而增大。 2、关断时间toff：储存时间ts和下降时间tf之和，不包括拖尾时间， ts随阳极电流增大而增大，下降时间一般小于2us。 * 1、结构 普通晶体管结构 GTR结构 符号 §2.4.2 电力晶体管GTR(Giant Transistor—Power BJT) 一、结构与工作原理 由至少两个晶体管按达林顿接法组成单元，同GTO一样采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。 2、工作原理 同普通的双极结型晶体管 3、电气符号 Bipolar junction transistor * 二、工作特性 2、静态特性 3）开关频率较高、动态性能好、功耗较小、控制方便。阻断能力差、瞬态过电压及过载能力差。 1、特点 1）基极可以控制开通，也可以控制关断； ----全控型 流控型器件 电平控制型 2）开通条件：正向集射极电压，正向基极电流； 关断条件：基极加负脉冲 截止区，饱和区，放大区。 * 3、动态特性 ts：存储时间 tf：集电极电流下降时间 开通时间： ton=td+tr td：延迟时间； tr：集电极电流上升时间； 关断时间： toff=ts+tf 基本无拖尾时间----开关速度快，开关时间在几us以内，在80年代是主要的功率控制器件。 * 1） 一次击穿 一次击穿后，无限流措施，集电极电流继续增大到某值，集射极电压陡然下降，产生局部过热击穿，称二次击穿，元