TrendForce2014年3DNANDFlash军备竞赛正.PDF

2014-01-13杨文得 全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查，受惠智能型手机、平板计算机与固态硬 盘的强劲成长，2013年NAND Flash需求年增率高达46%，产值较2012年成长22%，来到246亿美元。2014年在固 态硬盘应用逐渐渗透到企业端用户带动下，预期NAND Flash需求可达36%成长，产值可突破270亿美元，TrendForce研究协理杨文得表示，「随着制程演进，NAND Flash成本已逐渐降至OEM厂商的甜蜜点，因此未来将有更多的终端装置导入NAND Flash。」 从制程转进的脚步来看，NAND Flash业者从去年第三季以来陆续转进1X奈米制程，同时20奈米等级的SSD、eMM C和eMCP等嵌入式产品也广泛被应用在各种行动装置中，因此去年第四季20奈米与1X奈米出货比重已突破90%， 成为NAND Flash主流制程。随着制程微缩在1X奈米以下将面临物理限制的挑战，各家NAND Flash业者纷纷加速开发3D-NAND Flash的技术来突破单位面积储存容量的限制，而自从三星在去年八月份宣告将以3D-NAND Flash进军服务器等级固态硬盘以来，使得其他阵营更加速3D-NAND Flash的开发脚步。 杨文得表示，观察各家目前3D-NAND Flash开发进度，三星电子从去年下半年开始生产”V- NAND”以来，凭借着自行开发的固态硬盘控制芯片，缩短整合控制芯片与NAND Flash芯片的时效，并且充分发挥3D-NAND Flash适合高容量产品的优势，透过以堆栈24层所组成的128Gb芯片， 目标直接挥军服务器等级固态硬盘，并且在去年第四季开始已陆续送样给服务器业者或是数据中心制造商进行测试 ，因此三星电子目前在3D-NAND Flash应用进度领先其他业者，而三星的V- NAND制造基地将以韩国厂与新设立的中国西安厂为主。 将从今年第二季起开始小量试产，目标在2015年前能够顺利衔接现有1Y与1Z奈米技术，而为了后续3D-NAND Flas h的量产铺路，东芝和SanDisk所共同投资位于日本三重县四日市的第五号半导体制造厂第二期工程扩建计划也预计 今年第三季完工，自今年第四季起可顺利进入规模化生产。 另一方面，SK海力士与美光、英特尔阵营也明确宣告各自3D-NAND Flash的蓝图将接棒16奈米，计划将在今年第 二季左右可送样测试，最快将在第四季进入量产。因此，虽然2014年多数厂商的3D-NAND 的开发速度确实有超乎预期的进展，随着厂商在2015年将开始量产3D- NAND的局势来看，预期在经过2014年的军备竞赛后，2015年3D-NAND Flash市占率将可提升至20%以上，随着3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash单位成本将呈等比级数下滑，届时储存容量性价比将可有效提升。 关于集邦科技 集邦科技(TrendForce) 是一家提供市场深入分析和产业咨询服务的专业研究机构，同时也是产业信息媒介平台，注册会 员超过435,000名，聚焦新兴、科技产业圈人脉。TrendForce每年举办五场以上的国际研讨会，提供最新产业研究发表 成果、探讨市场最新脉动与趋势外，并提供业界人士拓展商机的舞台。成立于2000年，TrendForce目前在台北、深圳及 北京等地设有据点。更多详细资料，请参考 TrendForce旗下主要研究部门及其研究领域: DRAMeXchange : 内闪存内存、服务器、个人计算机、手持装置、智能手机等产业 WitsView: 面板上游关键零组件、面板、液晶电视、监视器、笔电、平版计算机等终端应用市场、触控技术等与显示器相关产业 LEDinside: LED产业链从上游材料设备、芯片封装到下游背光、照明市场等产业研究 EnergyTrend: 太阳能、消费性产品电池/储能电池、电站、电动车等绿能相关产业研究 拓墣: 半导体、光电、通讯、IA、区域市场等大中华地区高科技产业的结构性趋势研究 新闻联络人 Sara Fan(深圳) +86-755-8299-5597SaraFan@ Crystal Liao(深圳) +86-775-829