数字电路基础阎石第三章门电路.pptVIP

二、电压传输特性 需要说明的几个问题： 三、输入噪声容限 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 例：扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。 输入 输出 3.5.4 TTL反相器的动态特性 一、传输延迟时间 1、现象 二、交流噪声容限 （b）负脉冲噪声容限 （a）正脉冲噪声容限 当输入信号为窄脉冲，且接近于tpd时，输出变化跟不上，变化很小，因此交流噪声容限远大于直流噪声容限。 三、电源的动态尖峰电流 2、动态尖峰电流 3.5.5其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 3.与或非门 4. 异或门 二、集电极开路的门电路 1、推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用 OC门 2、OC门的结构特点 OC门实现的线与 3、外接负载电阻RL的计算 3、外接负载电阻RL的计算 3、外接负载电阻RL的计算 三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS） 三态门的用途 一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 电路的改进 (1)输出级采用复合管（减小输出电阻Ro） (2)减少各电阻值 2. 性能特点 速度提高 的同时功耗也增加 2.4.5 TTL电路的改进系列 （改进指标： ) 二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL） 电路改进 采用抗饱和三极管 用有源泄放电路代替74H系列中的R3 减小电阻值 2. 性能特点 速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大 三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL） · · · 2.5 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路 · · · 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2.或非门 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 二、漏极开路的门电路（OD门） 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 2. 双向模拟开关 四、三态输出门 三态门的用途 双极型三极管的开关特性 （BJT, Bipolar Junction Transistor） 3.5 TTL门电路3.5.1 半导体三极管的开关特性 一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 基区薄 低掺杂 发射区高掺杂 集电区低掺杂 以NPN为例说明工作原理： 当VCC VBB be 结正偏, bc结反偏 e区发射大量的电子 b区薄，只有少量的空穴 bc反偏，大量电子形成IC 二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN） VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定 三极管的输出特性 固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE 0.7V以后，基本为水平直线 特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。 三、双极型三极管的基本开关电路 只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL 工作状态分析： 图解分析法： 四、三极管的开关等效电路 截止状态 饱和导通状态 五、动态开关特性 从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换