第3章集成逻辑门电路 2011.3.20.ppt

COMS反相器的输入负载特性 由于栅极无电流，所以通过任意电阻接地，都相当于直接接在地上。 * 2.使用CMOS集成电路的注意事项 由于CMOS输入端很容易因感应静电而被击穿。使用时要注意以下几点： （1） 采用金属屏蔽盒储存或金属纸包装，防止外来感应电压击穿器件。 （2） 工作台面不宜用绝缘良好的材料，如塑料、橡皮等，防止积累静电击穿器件。 * （3）不用的输入端或者多余的门都不能悬空；输出级所连电容负载不能大于500pF，否则，输出级功率过大会损坏电路。 （4）焊接时，应采用20W或25W内热式电烙铁，烙铁要接地良好，烙铁功率不能过大。 （5）调试时，所用仪器仪表、电路箱、板都应良好接地。 2.使用CMOS集成电路的注意事项 * （6）严禁带电插、拔器件或拆装电路板，以免瞬态电压损坏CMOS器件。 （7）在CMOS门电路与TTL逻辑电路混用时，一般要注意逻辑电平的匹配。 2.使用CMOS集成电路的注意事项 * 3.5 各类逻辑门的性能比较 3.5.1 集成逻辑门系列简介 1. 集成逻辑门系列简介 （1） TTL门电路系列 TTL门电路分为54（军用）和74（商 用）两大系列，每个系列又有若干子系列。 * 74：标准系列 74L：低功耗系列 74H：高速系列 74S：肖特基系列 74LS：低功耗肖特基系列 74AS：先进的肖特基系列 74ALS：先进的低功耗肖特基系列 3.5.1 集成逻辑门系列简介 * 相同品种类型代码的逻辑电路，逻辑功能及引脚排列相同。7400、74LS00、74ALS00、74HC00、74AHC00管脚图： 3.5.1 集成逻辑门系列简介 * 当输入信号为高电平时，MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。 图中Ron为MOS管导通时的等效电阻，约为1KΩ。 3） MOS三极管的基本开关电路 * 图 3－44 MOS管的开关电路 4) MOS管开关电路的动态特性 * 5） 双极型晶体管、 MOS管的比较 c b NPN + + + e d B s g N沟道(增强型) + + + 电流控制电流源，电子和空穴都参与导电，称为双极型。 电压控制电流源，仅仅多子参与导电。 * 3.4.2 CMOS反相器的电路结构及工作原理 CMOS反相器是组成CMOS数字集成系统最基本的逻辑单元电路。由NMOS管和PMOS管组合而成。 * 当vI为高电平时，VN导通，VP截止，vO为低电平。 当vI为低电平时，VP导通，VN截止，vO为高电平。 由于CMOS反相器工作时总是只有一个管子导通，而另一个管子截止，故通常称之为互补式工作方式，因而把这种电路叫做互补对称式金属－氧化物－半导体电路，简称CMOS电路。 3.4.2 CMOS反相器的电路结构及工作原理 * 3.4.3 COMS反相器的传输特性 用以描述COMS反相器输出电量与输入电量之间关系的特性曲线，称为传输特性。 输出电压vO随输入电压vI 的变化而变化的关系曲线，叫做电压传输特性。 电源流入反相器的功耗电流 IDD与输入电压vI之间的关系曲线，叫做电流传输特性。 * 1. CMOS反相器的电压传输特性 电压传输特性分为5个工作区域： AB段：vIVTN，VN管截止，而|vGSP|=| vI－VDD| |VTP|，VP管导通，输出为高电平。 * BC段：vIVTN，VN管开始导通，但vO下降不多，而|vGSP||VTP|，VP管导通，输出为高电平。 1. CMOS反相器的电压传输特性 * CD段：随着vI的继续升高，输出vO将进一步下降， VN和VP管均导通，并工作在饱和区，所以vO随vI改变而急剧变化，这一区段称为传输特性的转折区或放大区。转折区的中点约在vI =1/2VDD, vO =1/2VDD的位置上。 1. CMOS反相器的电压传输特性 * DE段：vI继续增加时，vO将进一步下降，VN管进入了低内阻的线性区， VN仍工作在饱和区，输出vO趋于低电平。 3.4.3 COMS反相器的传输特性 * EF段：当输入电压增加到高电平（如VDD）时，VN导通且工作在线性区， |vGSP|=| vI-VDD||VTP| ，VP管截止，输出为低电平，近似为0Ｖ。 3.4.3 COMS反相器的传输特性 * CMOS器件的电源电压从3V到18V都能正常工作，当电源电压VDD取不同数值