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半导体结课论文院系：物理与电子工程学院专业：物理学姓名：李丹丹学号：1202114016类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用摘要: 由单层或几层二硫化钼构成的类石墨烯二硫化钼(graphene-like MoS2)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维(2D)层状化合物, 近年来以其独特的物理、化学性质而成为新兴的研究热点.本文综述了近年来类石墨烯二硫化钼常见的几种制备方法, 包括以微机械力剥离、锂离子插层和液相超声法等为主的“自上而下”的剥离法,以及以高温热分解、水热法等为主的“自下而上”的合成法;介绍了其常用的结构表征方法,包括原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱等;概述了类石墨烯二硫化钼的紫外-可见(UV-Vis)吸收、荧光发射等基本光物理性质及其相关机理;总结了类石墨烯二硫化钼在二次电池、场效应晶体管、传感器、有机电致发光二极管和电存储等光电子器件领域的应用原理及其研究进展, 展望了这类新型二维层状化合物的研究前景.关键词: 类石墨烯二硫化钼; 二维层状化合物; 材料制备; 结构表征; 光物理性质; 光电子器件1.引言近年来随着石墨烯等二维层状纳米材料研究热潮的兴起,一类新型的二维层状化合物——类石墨烯二硫化钼引起了物理、化学、材料、电子等众多领域研究人员的广泛关注.类石墨烯二硫化钼是由六方晶系的单层或多层二硫化钼组成的具有“三明治夹心”层状结构的二维晶体材料:单层二硫化钼由三层原子层构成,中间一层为钼原子层,上下两层均为硫原子层, 钼原子层被两层硫原子层所夹形成类“三明治”结构,钼原子与硫原子以共价键结合形成二维原子晶体; 多层二硫化钼由若干单层二硫化钼组成, 一般不超过五层, 层间存在弱的范德华力, 层间距约为0.65nm.作为一类重要的二维层状纳米材料, 类石墨烯二硫化钼以其独特的 “三明治夹心”层状结构在润滑剂、催化、能量存储、复合材料等众多领域应用广泛.相比于石墨烯的零能带隙, 类石墨烯二硫化钼存在可调控的能带隙, 在光电器件领域拥有更光明的前景;相比于硅材料的三维体相结构, 类石墨烯二硫化钼具有纳米尺度的二维层状结构, 可被用来制造半导体或规格更小、能效更高的电子芯片, 将在下一代的纳米电子设备等领域得到广泛应用.本文综述了类石墨烯二硫化钼的各种制备方法、结构表征手段、光学和电子学方面的性质, 总结了国内外有关类石墨烯二硫化钼在二次电池、场效应晶体管、传感器、 有机电致发光、电存储等光电子器件方面的研究进展, 并展望了其应用前景。2.类石墨烯二硫化钼的制备类石墨烯二硫化钼在热、电、光、力学等方面的性质及其在光电子器件领域的潜在应用引起了科研人员的广泛关注. 然而, 一般的化学、物理法难以制备出具有层状结构的类石墨烯二硫化钼,高质量材料的可控制备是影响和制约类石墨烯二硫化钼长远发展的关键所在. 目前可以采用的方法主要有: 微机械力剥离法、锂离子插层法、液相超声法等“自上而下”的剥离法, 以及高温热分解、气相沉积、水热法等“自下而上”的合成法.在“自上而下”的制备方法中,微机械力剥离法以其操作相对简便且剥离程度高是目前应用最为成熟的方法,它能到单层二硫化钼且剥离产物具有较高的载流子迁移率, 一般多用于制作场效应晶体管; 缺点是制备规模小和可重复性较差. 锂离子插层法是目前剥离效率最高的方法, 它适用范围广,多用于二次电池和发光二极管; 缺点是耗时、制备条件严格, 且去除锂离子极易导致类石墨烯二硫化钼的聚集.液相超声法则是最新发展出来的方法,它以操作简单、 制备条件相对宽松而正被广泛应用于光电子器件; 然而它的剥离程度和剥离效率均低于前两种方法, 且产物中单层二硫化钼的含量较低.“自下而上” 的合成法,可能是由于二硫化钼材料结构的高热和化学稳定性, 其研究还处在初级阶段, 尚存在制备成本高、工艺控制复杂等问题, 而且通过合成法获得类石墨烯二硫化钼的纯度和光、电性质等仍逊色于剥离法. 但是“自下而上”合成法具有方法、手段、底物等各方面的可控性及多样性,很具发展潜力, 通过不断创新和优化制备条件,有望实现大面积、高质量类石墨烯二硫化钼的规模化制备。3.类石墨烯二硫化钼的光物理性质类石墨烯二硫化钼具有特殊的“三明治”夹心二维层状结构和特殊的能带结构, 因此拥有特殊的光物理性质, 如光吸收、荧光(PL)发射等. 研究这些特殊的光物理性质, 对于制作基于类石墨烯二硫化钼的光电器件非常重要.3.1光吸收二硫化钼的光吸收性质与其自身的厚度密切相关: 块状二硫化钼是间接带隙半导体, 没有特征吸收峰; 而类石墨烯二硫化钼是直接带隙半导体,其特征吸收峰在紫外吸收光谱上位于620和670 nm附近, 对应于能带图1b中A、 B两种从导带到价带的竖直跃迁方式。3.2荧光类石墨烯二硫化