8-2场效电晶体的小讯号模型.pptVIP

* * 第八章 : 場效電晶體放大器 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 8-1 引言 * ? 特性：1.具很高的輸入電阻。 2.具電壓放大功能。 3.為低消耗功率組 態。 4.提供良好的頻率範圍。 5.有極小之體積與重量。 ? 差異：1.BJT為 小IB→大IC，稱“電流控制式裝置”；FET為 小VGS→ID ，稱“電壓控制式裝置”。 2.交流小訊號模型較BJT簡單。 3.輸 出入關係因數--BJT ”電流放大因數β”；FET “電導因數gm”。 ? 應用：1.在邏輯電路--作線性放大器or數位裝置用。 2.使用在高頻及 緩衝器(介面)應用上。 3.共源極電路--產生反相之放大訊號。 4.共汲極(源極隨耦器)電路--提供增益為一的非反相訊號。 5.共 閘極電路--提供非反相的增益。 ? 重要電路參數：包含 電壓增益、輸入阻抗 及 輸出阻抗。 AV FET AV BJT Zi FETZi BJT Zo FET ? Zo BJT Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 8-2 場效電晶體的小訊號模型 * ? gm值：為轉移曲線在直流偏壓點 (Q-點) 的斜率。 gm= m = △ y /△ x =△ID /△VGS ? 解法： 1.由 轉移特性曲線 任選 Q-點。 2.選擇 VGS 之有限增量 及 相對應 之 ID 改變量。 (反之亦可) 3.把各改變量代入上式求得 gm。 註：(曲線) VP 往 IDSS ? gm(m)↑ (VGS 軸) VP 往 0V? ∣gm∣↑ ? AC工作主要特徵：在 G-S 加 交流電壓 控制 D-S (通道) 電流。 ? VGS 改變 →ID 變化。 [關係式] △ID =gm △VGS → gm=△ID /△VGS gm 的圖形解法： (= Q-點 斜率) [用 轉移特性 定義 gm] Q-點 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * 例題 8.1：求出接面場效電晶體的 gm 值，其中 IDSS = 8mA 與 VP = -4V 且直流偏壓點如后：a.VGS=-0.5V b.VGS=-1.5V c.VGS=-2.5V § 8-2 場效電晶體的小訊號模型 解：1. 畫 轉移特性曲線。 (將 ①ID=IDSS= 8mA ②VGS=Vp=-4V ③VGS= ?Vp=-2V→ID=? IDSS = 2mA 三點 繪製曲線) 2.在工作點 畫出 最佳切線。 3.選擇 VGS 適當之增量 →ID 之改變量。 4.