体内注入trenchmos模型研究 study of bulk-implanting trenchmos model.pdfVIP

器件制造岛鹰街 M删l缸加恤g旺dA刚icd叩of晰jce 体内注入TrenchMOS模型研究 戈菇，李海松，王钦，孙伟锋 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京2l0096) 摘要：围绕TknchMOs的击穿电压Bn。、特征导通电阻置叩和栅漏电荷Qd这三个最重要的 妙利用体内耗尽层分压的方法优化器件特性。专业软件Med耐的仿真结果表明：改进结构在同样 的耐压水平下，能减小器件导通电阻44．73％、栅漏电荷19．51％，并且工艺兼容、附加工艺少。 关键词：T嫩IchMos；击穿电压；特征导通电阻；栅漏电荷 中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1003．353x(2007)11．09“，04 of TrenchMOSModd StudyBuIk-hIlpIanting GE zhe，U Hai—sorlg，WANGQin，SUNwei-feng 210096．C妇m) (肫如删^s旧号”咖酞F赫fm姚，曲c附，s。ul^删f【m挑奸，Ⅳo耐w to tlIeb坨al【dowIl on—Ie8i8tance Absm比t：Tr∞chMOsw邸Btudied jnlpmve volt89e(占‰)，叩ecmc thfeerⅡ鸺t 0f‰nchMOs．卟e (R佣)舳dgate·draincha咿densiIy(Qd)，Whieh眦t}IeimP0nantt8弹ts 0f device bulk-im山nti“g‰nchMoSconceptw勰p璐即吲．n8pe曲mancebulk—imPlaIlti“gw∞i呷mved 0f Ihe of showtllat bulk Binlul砒ion r错ults byvolt8驴sh埘“g depletion18yer．nr{Dugll Medici，the 8killfuuy shllctllIes11ave 19．51％do珊atthe improved R蛐44．73％down肌d sa眦Bn。1evel．Addi廿蚰ally， Qd the 8tmctureBare carIiedout impmvt：d pmce鹞一c佃lpatibel衄deaBily． Key伽rds：‰nchMOS；妇kdown“t帮；叩ec访con-础j喜t蚰ce；gate-d面nchar咎 1 引言 和Medici，分析并验证了体内注入结构的器件特 ‰nchM0s作为一种重要的功率器件，在性。与传统结构相比，体内注入结构能够在同样的 Dc．Dc转换、稳压器、电源管理模块、机电控制、击穿电压水平下，同时减小器件的特征导通电阻和 显示控制、汽车电子等领域应用广泛【1j。与传统 栅漏电荷，且工艺兼容、附加工艺少。 vDM0s相比。愉lchM0s采用纵向沟道且不存在 JH’T电阻，因此具有更高的沟道密度、更低的开 态特征电阻和更快的开关速率。 传统Iknd·MOs的结