贴合法制造长波长ingaasinp-gaasalgaas apd long wavelength ingaasinp-gaasalgaas apd implemented by wafer bonding.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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贴合法制造长波长ingaasinp-gaasalgaas apd long wavelength ingaasinp-gaasalgaas apd implemented by wafer bonding.pdf

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贴合法制造长波长ingaasinp-gaasalgaas apd long wavelength ingaasinp-gaasalgaas apd implemented by wafer bonding

贴合法制造长波长InGaAs／InP．GaAs／AIGaAsAPD 沈力 (山西省机械设备成套局，太原030001) APD的设掺Be的p型GaAs薄层，并对此两薄层界面进行片直接贴合。成功地在1．3、1．55弘m的波长分别获得约47％和33％的均匀增益外量子效率，雪崩增益M为25的APD。关键词：片直接贴合；长波长，雪崩光电二极管；分子束外延；外量子效率中图分类号：TN312．7文献标识码：A InGaAs／InP-GaAs／AlGaAsAPD LongWaVelength Wafer Implementedby Bonding Li Shen (M∞hiM7印呻，，ml口u，∞u矿s妇mi胁，i，聊，扎咖mn030001，饥iM) and ofanoVelwafer．bonded As／InP—GaAs／ Abstract：Tlhe design implementation In053Ga0．47 avalaIlche for thedirect A10．2Ga0．8As photodiode(APD)wasreportedlong-waVelen昏happlications．Using wafer betweenthin onthe substmteand thin bondingtechniquep-InPlayergrowll p+InP p-GaAslayergrown on n+GaAs 硼aValanche was achievedwiIh extemal the substmte， photodiodesuccessfully unity-gain of47％at1．3 and33％at Mis to25． quantume佑ciency pm 1．55弘m．Avalanchegain up words：directwafer Key bonding；long-waVelength；APD；MBE；externalquantumemciency EEACC：4250 果已有报道№。8J。现有研究表明，Al；Gal一；As单质 0 引言结APD的倍增噪声随着Al组分的增加而减小，并 APD由于内部电流增益和低噪声，已被广泛地 AsAPD具有比Si 且高Al成分(90％)的Al。Gah 用于光通讯系统。如今，在波长小于1．6肛m范围 APD要低得多的倍增噪声。通过碰撞电离工程的方 As材料和InP材料可以晶格匹配，内，In0．53Ga0．47 法，m，GaI一，AsAPD的倍增噪声甚至可以降至si 并有较好的光谱响应，近红外高速APD采用InP基 APD以下【9