铁电薄膜漏电流研究现状 leakage current of ferroelectric thin films.pdfVIP

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铁电薄膜漏电流研究现状 leakage current of ferroelectric thin films

绝缘材料 2006, 39( 4 ) 杨 艳等 铁电薄膜漏电流研究现状 ! : 铁电薄膜漏电流研究现状 杨 艳 张树人 刘敬松 张洪伟 刘 蒙 , , , , (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 ) , 610054 摘要:铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子 电导、空间电荷限制电流 、 发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、 ( SCLC) POOl - Frenkel 晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等。同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响。 关键词:铁电薄膜 漏电流 导电机理 ; ; 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) TM22 . 1 A 1009 - 9239 2006 04 - 0051 - 05 Leak age Cu rren t of f err oelect r ic Th in f ilm s YANG Yan , ZHANG Shu -ren , LIU J ing-song , ZHANG Hong-Wei , LIU Meng ( State Ke Lab o Electronic Thin Films and inte rated Deoices, y f g UESTC, Chen du 6l 54, China) g Abstract : the developmen t of f er r oelectr ic memor y Was alWays Wor r ied by the leakage cu r r en t of f er r oelectr ic th in f ilms . the ther mal electr ic condu ction , space char ge lim ited cu r r en t ( SCLC ) , Pool - f r en kel em ission and Schot tk y em ission Wer e ou tlined to eXp lained condu ctive mechan ism . the f actor s of leakage cu r r en t inclu din g th ick ness of f ilms , temper a tu r e , gr ain size , electr ode , doped ion s , et al Wer e analyzed . besides above sta temen ts , t

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