微区中mbe共度生长sigesi异质结构的应变和退火效应 strain and annealing effect of sigesi heterostructure in limited area grown by mbe.pdfVIP

第28卷第8期 半导体学报 Vol28 No8 2007年8月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Aug，2007 应变和退火效应“ 杨鸿斌 樊永良 张翔九’ (复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433) 摘要：报道了在si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中，采用分子束外延技术共度生长的sksGeoz薄膜的应变及其 退火特性实验表明，微区生长材料的这些特性，与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比，有明显的不同 微米尺寸窗口中生长的SiGe／Si材料的应变与窗口尺寸有关，也和窗口的掩膜中的内应力有关．实验还表明，边缘 x 效应对于微区中共度生长的SiGe／Si材料的热稳定性也有显著的影响在3pm3／1m窗口中共度生长的 材料的应变弛豫．文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨． 关键词：SiGe；应变；位错；分子束外延 PACC；7340L 中图分类号：TN304．1文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)08—1226—06 对于微区中共度生长的材料，边缘效应，尤其是窗口 引言 掩膜的边缘效应，对于材料应变的变化以及由此引 起的物理性质的变化却很少有报道．本文将报道微 由于SiCJe与si之间存在着晶格失配，因此硅区中共度生长siGe／si异质结构材料和无边界约束 衬底上外延生长的SiGe薄膜承受着压应变．这种应 生长材料之间在应变、位错及退火特性等方面存在 变，一方面给材料带来了新的物理性质，为开发新型 的差异，并讨论引起这些变化的原因． 器件，提高器件的性能提供了可能，但同时也对材料 在器件中的应用带来了困难和麻烦．尤其是应变材 2实验 料可能发生的应变弛豫会导致器件性能下降，影 响器件的可靠性．因此研究SiGe材料中的应变、应 制作样品用的衬底是直径为75mm的P型si 变对于材料的物理性质的影响以及提高siGe／si 器件的可靠性，成为人们十分关注的有重要意义的 生长，先在衬底上生长一层介质掩膜，然后用光刻和 课题． 等离子刻蚀工艺在掩膜上开出不同尺寸的窗口阵 列．窗口为正方形，边长分别为20，12，6，3“m．在衬 用平面工艺研制siGe／Si异质结器件时，生长 SiGe材料的常用方法之一是在介质膜窗口中采取 选择外延的方法进行生长．在介质膜窗口中外延生 覆盖的区域(以下称无图形区)，以生长无边界约束 长的材料存在着两个边界，一是外延膜的边界，另一 的外延膜．样品所用的掩膜有两种，一为热氧化生长 个是介质膜窗口的边界．实验证明，这两个边界都会 对它附近的外延膜材料的应变产生影响“’2]．因此 在介质膜窗口中外延生长的材料和无边界约束(或 生长的材料与边界距离很远)生长的材料相比，它们 之间的应变和物理性质的异同是一个令人很感兴趣 的课题．研究发现o“]，当窗口的尺寸下降到数微米 温到980℃，并保温10min，以去除表面的氧化层． 或更小时，在微区内外延生长的晶格失配的异质结 随后衬底片的温度降到650℃，生长厚度为60nm 构材料的临界厚度增加，其应变弛豫也有变化．但是 的si缓冲层．最后在550℃生长sb8Geoz合金．样 j国家自然科学基金资助项目(批准号 accn 十通信作者Email：xjzhang@fudan 2007．02．01收到，2007．04—19定稿