我国功率型led产业化关键技术 the key technology of power led industry of our country.pdfVIP

2006年12月 照明工程学报 Dec． 2006 第17卷第4期 ZHAOMINGGONGCHENGXUEBAO V01．17No．4 我国功率型LED产业化关键技术 吕家东 (东南大学电光源研究中心，南京210096) 摘 要：本文介绍了我国功率型LED产业链三个阶段的关键技术。 关键词：功率型LED；产：业；关键技术 The ofPowerLED ofOur KeyTechnology IndustryCountry Lu Jiadong CenterEctric (Research Sources，Sout船ast 210096) for Light University，Naming Abstract The introducesthe inthree of LED chainofour paper keytechnologyperiodspower industry country． Keywords：power LED；industrychain；keytechnology 水平。 1 引言 由于超高亮度LED外延片生长技术主要采用了 功率型LED的技术基础源于上世纪60年代中子阱结构，在精确控制生长和掺杂以及增大芯片面 期的GaAs功率型红外LED以及80年代InGaAsP／InP 积等方面取得突破性进展，从而加大了芯片工作电 双异质结红外LED。红外光源应属初期的功率型 流，单芯片的功率已从1W、3W、5W向更高的功率 LED，由于具有寿命长、体积小、重量轻的特点， 迈进。MOCVD技术使外延片内量子效率可达到 并可在低电压、直流电流1A、脉冲电流24A下工作100％，已接近极限，但由于量子逃逸率低，使它的 而被用于军用夜视仪和专用的测试仪器，以取代原 外量子效率非常有限，即通常所说的芯片的取光效 有的白炽灯和气体放电灯等传统光源。90年代超高 率低，加之不能出射的光在LED结区内转化为热 亮度A1GaInP红、橙、黄光LED和超高亮度A1GalnN能，而导致芯片结温迅速上升，加速器件的光衰直 蓝、绿光LED的研制成功实现了LED的超高亮度全至失效。按照常规理念设计的超高亮度LED已远远 色化，从而揭开了LED发展新篇章，LED已成功地 不能满足固体照明所需的发光通量。为提高LED的 应用于特殊照明、大屏幕信息显示、交通信号灯、 发光通量，满足固体照明的要求，必须采用新的设 背景光源、汽车照明、景观照明等。固体照明是超 计理念，具体应解决以下三个方面的关键 高亮度LED拓展的又一全新领域，LED若要取代白技术： 炽灯和荧光灯等传统照明光源，其光效、光通量应 (1)增大芯片面积，加大工作电流，以提高芯 提高到现有照明光源的等级。照明用w级功率型 片整体功率； LED要实现产业化，从技术层面来讲，只有实现产 (2)设计新的芯片结构以提高取光效率； 业链中三个环节即外延片的生长、芯片和封装技术 (3)采用新型材料和封装结构提高