纤锌矿n-gan室温补偿度解析模型 analytic models for compensation ratio of wurtzite n-gan at room temperature.pdfVIP

第28卷第7期 半导体学报 V01．28No．7 2007年7月 CHINESEJoURNALOFSEMICONDUCTORS July，2007 纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型 何菊生 张 萌+ 许 彪 唐建成 (南昌大学材料科学与工程学院，南昌330031) 该模型值0Ch蛔与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明，三者具有较好的一致性．对掺si 样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品，基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差，通过 理论计算及数值方法，得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数氏，在室温载流子浓度3×10”～10”cm3范围内， 该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好，与基于Chin理论的补偿度艮。；。也有很好的相容性．该模型对GaN 材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义． 关键词：补偿度；GaN；电子迁移率；霍耳迁移率；补偿受主 PACC：7210；7220F；7280