纤锌矿n-gan室温补偿度解析模型 analytic models for compensation ratio of wurtzite n-gan at room temperature.pdfVIP

第28卷第7期 半导体学报 V01．28No．7 2007年7月 CHINESEJoURNALOFSEMICONDUCTORS July，2007 纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型 何菊生 张 萌+ 许 彪 唐建成 (南昌大学材料科学与工程学院，南昌330031) 该模型值0Ch蛔与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明，三者具有较好的一致性．对掺si 样品及有氧或Si污染的非故意掺杂样品，基于Chin理论的补偿度值与普遍采用的实验拟合值常有一定偏差，通过 理论计算及数值方法，得到了掺硅GaN补偿度的解析模型函数氏，在室温载流子浓度3×10”～10”cm3范围内， 该模型值与普遍采用的实验拟合值符合得较好，与基于Chin理论的补偿度艮。；。也有很好的相容性．该模型对GaN 材料分析及器件的计算机模拟、器件仿真有重要意义． 关键词：补偿度；GaN；电子迁移率；霍耳迁移率；补偿受主 PACC：7210；7220F；7280E 中图分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：0253—4177{2007)07-1041-07 的发展也迫切需要对补偿度的定量表达．Chin等 I 引言 人口]以载流子浓度和补偿度为参量，考虑GaN材料 中最主要的散射机制(电离杂质散射、极性光学波散 目前，以金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分射、声学波压电散射及声学声子形变势散射)，运用 子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)为主流变分原理将理论计算得到的室温电子迁移率用图像 工艺的GaN薄膜制备技术成熟，各项参数稳定，极 表示了出来．他们对GaN低场电子迁移率、载流子 大地促进了对GaN材料的精确表征和内在机理研 浓度和补偿度三者关系的研究成果，产生了极广泛 究．但是，GaN材料理论研究的许多方面仍处于起 的影响，被大量文献引用来评估GaN材料的补偿 步阶段．例如，除以迁移率等为参数来表征GaN的 补偿度外，尚没有GaN补偿度的计算模型．GaN过算机模拟和早期并不很成熟的技术生长的样品，根 据他们的图像比对得到的补偿度比实际变温霍耳测 高的生长温度(1000℃左右)、过高的V／Ⅲ比(几千 以上)及与衬底巨大的晶格失配必然引入大量的本 量拟合得到的值大很多．为此，我们对Chin的图像 征缺陷，使它明显区别于Si，GaAs等半导体材料：进行了数值处理，并反过来以载流子浓度和室温电 GaN通常有很高的补偿度．高补偿度深刻地影响了 GaN材料的物理性能，降低了迁移率、辐射效率和 结晶质量及其他性能[1~3]，对器件产生重要影响[4]． 众所周知，n型半导体材料内有两类杂质，一类 迁移率．我们还从有关文献[9~28]中查到了大量的 是施主，含量占多数，适量的浓度有助于提高材料的 GaN样品的变温霍耳测量图线，通过拟合得到了比 电学及发光等性能；另一类是受主，占少数，它会掩 较准确的补偿度值．结果表明，Chin等人的计算对 盖真实的施主浓度，从而降低材料的各项性能．补偿 大部分非故意掺杂GaN样品是准确的，对掺Si样 度就是反映材料杂质纯度即补偿杂质(缺陷)浓度相 品可能偏大．在此基础上，我们提出了可用于掺Si 对大小的重要特征参量．对n型半导体而言，补偿度 样品的补偿度计算模型． 定义为受主和施主浓度之比0=NA／ⅣD．一般来说， 口越小，则受主相对含量越小，材料性能越好．据我 2室温下纤锌矿n-GaN补偿度模型 们所知，除定义外，目前尚没有一个用于计算GaN 补偿度的公式，这给GaN材料分析和研究工作带来 诸多不便，器件的计算机模拟、分析及器件仿真技术 t通信作者．Email：tiegang_zm@sina．corn 2006．12—28收到，2007-01．31定稿