相变随机存储器材料与结构设计最新进展 recent progress on the materials and structures for phase-change random access memory.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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相变随机存储器材料与结构设计最新进展 recent progress on the materials and structures for phase-change random access memory.pdf

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相变随机存储器材料与结构设计最新进展 recent progress on the materials and structures for phase-change random access memory

趋势与展望 OutlookandFutum 相变随机存储器材料与结构设计最新进展刘波，宋志棠，封松林 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室，上海200050) 摘要：介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状，包括新型相变材料、热阻层材料舜口器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点，介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展，最后提出了我国发展PCRAM的几点思考。关键词：相变随机存储器；相变材料；热阻层材料中图分类号：TN333．8文献标识码：A Recent ontheMaterialsandStructuresfor Progress Phase-Change RandomAccess Memory Liu Bo，SongZhitang，FengSonglin Institute and (LaboratoryofNanotechnology，ShanghaiofMicrosystemInformationTechnology， Chinese AcademyofSciences，Shanghai，200050) Abstract：Thecurrentsituationof randomaccess reviewed， phase—change memory(PCRAM)is new cellstructures．Withthe of materials，buffermaterials，and advantages includingphasechange layer are data exceHent andSiSb bothnew retention，and simplecomposition，good memoryperformance，GeSb with in and materials PCRAM phase-change good印plicationpotential chips．Thedevelopingstrategy destinationofPCRAMinChinaandabroadare onnewmaterialsanddevicestructures．Andsome proposed considerationsonthe ofPCRAMin development China眦proposed．