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紫外激发Ba2SiO4颐Gd的发光性能
第37卷摇 第6期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾37 No郾6
2016年6月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE June,2016
文章编号:1000鄄7032(2016)06鄄0644鄄06
3+ 3+
紫外激发 Ba SiO 颐Gd ,Tb 的发光性能
2 4
*
肖林久 ,耿艳丽,谢摇 颖,姜新东,崔永强,汪书东
(沈阳化工大学 辽宁省稀土化学及应用重点实验室,辽宁沈阳摇 110142)
摘要: 3+ 3+
采用高温固相法合成了可被紫外光激发的Ba SiO 颐Gd ,Tb 荧光粉。 考察了激活离子掺杂量等因
2 4
素对发光性能的影响。 通过X射线衍射(XRD)、荧光(FL)光谱和荧光寿命曲线对所合成样品的结构和发光
3+ 3+ 3+ 3+ 3+
性能进行表征,研究了Gd 和Tb 的特征吸收波长激发Ba SiO 颐Gd ,Tb 的发光性能。 在275 nm(Gd :
2 4
8 6 3+ 3+ 3+ 6
S 寅 I )激发下,检测到了Tb 的特征发射。 通过对比不同Tb 掺杂量下Gd :P 能级的衰减曲线,发
7/ 2 J 7/ 2
3+ 3+ 3+
现随着Tb 掺杂浓度的增加,该能级的荧光寿命不断缩短,表明样品中存在Gd 寅Tb 的能量传递,传递方
3+ 8 7 1 3+ 3+ 5
式为无辐射共振能量传递。 在244 nm(Tb :4f 4f 5d )激发下,Gd 的掺入使得Tb 的 D 能级的发射逐
寅
3
5 3+
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