芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究 laser damage to chips in ic manufacturing during defect scanning.pdfVIP

下载本文档

12
0
约2.48万字
约 6页
2017-08-18 发布于上海
举报
版权申诉

芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究 laser damage to chips in ic manufacturing during defect scanning.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究 laser damage to chips in ic manufacturing during defect scanning

I盈：竺三三I业!里!量．．．一：!g型董王茎：芯片制造中因缺陷扫描由激光导致的损伤研究彭坤1一，游智星z (1．昆明理工大学机电学院，云南昆明610031； 2．中芯国际集成电路制造有限公司．上海201203) 摘要：在集成电路芯片制造中，激光被广泛应用于缺陷扫描或者相关的光学量测工具中。未见报道低功率的缺陷扫描时，输出功率仅数百毫瓦且扫描速度很快时．会对熔点达l420℃上的硅芯片造成影响，在制造中以Compass为代表的缺陷扫描工具被广泛而无顾虑地应用在芯片制造中。然而通过在动态储存器制造中的一个低良率事件，介绍了缺陷扫描及动态储存器的基本原理，并指出在378mW输出功率时，缺陷扫描能将电容表面硅重熔．导致电容结构被破坏。通过试验、计算指出输出功率≤100 mW是安全使用功率，为芯片制造业界提供了关于表面材料为硅、氧化硅、氮化硅使用指南，避免了因Compass为代表的缺陷扫描工具广泛应用带来的额外损伤，并为以后的芯片激光快速热处理研究提供了损伤研究依据。关键词：激光；损伤；缺陷扫描；集成电路芯片制造中图分类号：TN247 文献标识码：A Laser to inIC Damage Chips Manufacturing Defect During Scanning PENGKunl一．BruceYu2 ofmechanicaland (1．School E1ec仃ic，}：MsTu，KunMing 610031；2．sMIc，shan曲ai201203) Abstract：Few were ofthatdefect with10w IC(Inte乒ated Circuit)engineerscognizant scanning power laserCOMPASSofone toolfordefect the (N锄e defect by typical scanning)willimpactchips，and in was usedIC describesareallow found scanningwidely manufacturing．Thispaper yieldcase，which the ofDR久Mwas laser when is378 theroot capacitors damaged mW，and by scanningoutputpower causewasthatthesiliconof surfacewasmeltedthe thesilicon’s c印acitor’s by laser，however melting