电子电工学第1章 电路和电路元件.ppt

1.1.2 电压、电流及其参考方向 第1章 上页 返回 下页 二极管的静态电阻和动态电阻 静态电阻： UQ IQ RD = 动态电阻： rD = ? U ? I I U UQ IQ Q ? I ? U O 第1章 上页 返回 下页 I U 2.二极管特性的折线近似及模型 Q U0N O P U = UON – rD I 二极管的电路模型 + － UON rD Di 稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。 符号: DZ 阴 极 阳 极 特点: (1)反向特性曲线比较陡 (2)工作在反向击穿区 1.4.4 稳压二极管 第1章 上页 下页 返回 I/mA U/V 0 UZ IZ I U ＋ - 稳压管的主要参数: 第1章 上页 下页 稳定电压UZ 稳定电流IZ 动态电阻rZ 最大允许耗散功率PZ M 一般情况:高于6V的αUZ 为负,低于6V的αUZ为正。 电压温度系数αUZ rz = △UZ / △IZ 返回 I/mA U/V 0 UZ IZ 第1章 上页 下页 返回 稳压管构成的稳压电路 图中R为限流电阻，用来限制流过稳压管的电流。RL为负载电阻。 Ui R ＋ - ＋ - DZ RL ＋ - UO I IL IZ UZ 由于稳压管工作在其反向特性端，因而在反向击穿的情况下可以保证负载两端的电压在一定的范围内基本保持不变。 1.5 双极晶体管 1.5.1 基本结构和电流放大作用 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.5.3 简化的小信号模型 第1章 上页 下页 返回 1.5.1 基本结构和电流放大作用 NPN型 PNP型 C P N N N P P E E B B 发射区 集电区 基区 基区 基极 发射极 集电结 发射结 发射结 集电结 集电区 发射区 集电极 集电极 C 发射极 基极 B E T C NPN B E T C PNP 第1章 上页 下页 返回 晶体管的电流放大原理 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即 VCVBVE RC B C E 共发射极放大电路 第1章 上页 下页 PNP 管： UBE0 UBC0 即VCVBVE C E B 返回 三极管的电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 第1章 上页 下页 返回 由上所述可知: 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： ICIB 或 △IC△IB 第1章 上页 下页 返回 晶体管起电流放大作用，必须满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 3 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 1.5.2 特性曲线和主要参数 1.输入特性曲线 IB = f (UBE ) UC E = 常数 UCE≥1V 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE UBE /V IB/ μA O O 2.晶体管输出特性曲线 IC = f (UCE ) | IB = 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB = 20μA IB =60μA IB =40μA 第1章 上页 下页 返回 IE IB RB UB IC UCC RC ＋ - - ＋ UBE UCE 晶体管输出特性曲线分三个工作区 UCE /V IC / mA 80 60 40 0 IB= 20 μA O 2 4 6 8 1 2 3 4 截止区 饱和区 放大区 第1章 上页 下页 返回 UCE /V IC / mA 80 60 40 0 IB= 20 μA O 2 4 6 8 1 2 3 4 放大区 第1章 上页 下页 返回 晶体管三个工作区的特点: 放大区: 发射结正偏,集电结反偏 有电流放大作用, IC=βIB 输出曲线具有恒流特性 UCE /V IC / mA 80 60 40 0 IB= 20 μA O 2 4 6 1 2 3 4 第1章 上页 下页 返回 晶体管三个工作区的特点: 放大区: 发射结正偏,集电结反偏 有电流放大作用, IC=βIB 输出曲线具有恒流特性 截止区: 发射结、集电结处于反偏 失去电流放大作用, IC≈