电子线路基础(1.1-1.4).ppt

电子线路基础（电子电路基础） 2005年9月-2006年1月 课程介绍 1. 课程的性质 是一门专业技术基础课。 2. 课程特点 非纯理论性课程，实践性很强，以工程实践的观点来处理电路中的一些问题（使用模型、近似）。 3. 学习内容：半导体器件、基本单元电路（双极型、FET)、反馈、运放、电流模、波形发生等。 4. 教学目标 能够对一般性的、常用的电子电路、集成电路进行分析和设计。 课程介绍 5. 学习方法： 重点掌握基本概念、基本电路电路的分析方法、设计方法 6. 成绩组成： 平时作业 15 %； EDA实践 5 % ； 期中考试：30％； 期末考试：50 % 7. 参考书 童诗白主编，《模拟电子技术基础》 第三版，高教出版社 谢嘉奎主编，《电子线路基础》（线性部分），高教出版社 康华光主编， 《电子线路基础》（模拟部分）高教出版社 第一章 半导体器件基础 1.1 半导体中的载流子及其运动 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.4 双极型三极管 1.5场效应晶体管 1.6模拟集成电路中的元件 第一章 半导体器件基础 半导体材料： 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体器件： 用半导体材料制成的器件 二极管、双极型三极管、场效应管、光电器件、集成电路等 1.1半导体中的载流子及其运动 1.1.1本征半导体中的载流子 1.1.1.1本征半导体的共价键结构和本征激发 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅（外层14个电子）和锗（外层32 个电子），它们的最外层电子（价电子）都是四个 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 在硅和锗晶体中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的共价键结构 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 本征激发——在热和光作用下价电子挣脱共价键束缚的过程 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对 自由电子——由热激发从共价键中逃逸的价电子 空穴——共价键中的空位。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 载流子：电子和空穴两种 载流子浓度：单位体积载流子数 电子浓度：ni 空穴浓度：pi 本征半导体中：ni=pi 1.1.1.2本征半导体的载流子浓度 在热平衡下（本征激发和复合的数目相等时），定义： 电子浓度 n0 空穴浓度 p0 本征浓度 ni=p0=n0, n0p0=ni2  1.1.2杂质半导体中的载流子 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。载流子：电子，空穴 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。主要载流子为电子（多数载流子） P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。主要载流子为空穴（多数载流子） 1.1.2.1N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 N型半导体 硅原子 1.1.2.2P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 P型半导体 硅原子 杂质半导体的示意表示法 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n0 = p0 =ni=1.5×1010/cm3 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n0=5×1016/cm3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3