第五章 电子节能灯及镇流器中所用的开关器件.ppt

第五章 电子节能灯及镇流器的开关器件 1.半导体二极管 2.双极型功率晶体管 3.场效应功率MOS管 4.绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 1.半导体二极管 功率二极管的结构和图形符号 1.半导体二极管 整流二极管的主要参数 正向平均电流I F(AV) 功率二极管的正向平均电流I F(AV)是指在规定的管壳温度和散热条件下允许通过的最大工频半波电流的平均值, 元件标称的额定电流就是这个电流。实际应用中，功率二极管所流过的最大有效电流为I，则其额定电流一般选择为 正向压降UF 正向压降UF是指在规定温度下，流过某一稳定正向电流时所对应的正向压降。 反向重复峰值电压URRM 反向重复峰值电压是功率二极管能重复施加的反向最高电压， 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。一般在选用功率二极管时， 以其在电路中可能承受的反向峰值电压的两倍来选择反向重复峰值电压。 1.半导体二极管 （一） 普通整流二极管 电子镇流器全部采用桥式整流电路来实现AC-DC转换。桥式整流器中的4个二极管是普通半导体功率二极管。普通整流二极管是含有一个半导体PN结的两端器件,其主要特点是具有单向导电性，即正向偏置时导通，反向偏置时截止。电子镇流器中桥式整流二极管的选用主要考虑正向电流和最高反向工作电压两个参数。普通整流二极管的主要参数及封装形式如下表所示。 1.半导体二极管 1.半导体二极管 （二）快速恢复二极管 当由正向偏置跃变为反向偏置时，二极管并不是立刻截止，而是由正向电流变为很大的反向电流IR，如图所示。IR从t1维持到t2后才慢慢减小，到t3时刻，降至反向饱和电流IRS，二极管才真正进入反向截止状态，ts为存储时间，tf 为下降时间，trr(即ts+tf)称为反向恢复时间。 1.半导体二极管 1.半导体二极管 普通整流二极管的反向恢复时间太长(达0.5us以上)，不能作为开关使用。为了缩短二极管的反向恢复时间，采用专门的工艺在芯片上形成一些复合中心，使PN结两边的存储电荷很快复合而消失。这种反向恢复时间较短的二极管称为快速恢复二极管。快速恢复二极管的反向恢复时间最大值为500ns。反向恢复时间非常短(如小于100ns)的二极管被称为超快速恢复二极管。 在电子镇流器中，PFC电路中升压二极管和功率双极型晶体管及功率MOSFET的续流二极管必须使用快速恢复二极管。在PFC电路中，控制IC的辅助电源电路的高频整流二极管，除选用小信号高速开关二极管(如1N4148)外，有时也选用快速恢复二极管(如1N4935、MUR115和BYS11-90等)。在半桥驱动器电路中，连接于驱动器IC的引脚VCC与引脚VS(高端浮动电源回复之间的自举二极管也应当选用快速恢复二极管。 1.半导体二极管 1.半导体二极管 1.半导体二极管 （三）小信号高速开关二极管 在电子镇流器中，最常用的小信号高速开关二极管是1N4148(100mA/75V)。这种高速开关二极管在电子镇流器中主要应用于3个方面：一是在PFC控制IC的辅助电源中用于高速 整流；二是在功率开关晶体管和MOSFET的驱动电路中作为加速元件使用，以改善功率器件的开关特性；三是在半桥驱动与控制IC的VCC电荷泵或辅助电源电路中应用。 在MOSFET的栅极，负极连接驱动电路的输出端。在双极型功率晶体管的基极驱动电路中，1N4148的正极通常连接晶体管的发射极,负极通过一个电阻（如47欧 ）连接晶体管的基极。在高性能电子镇流器中，1N4148的用量较大。在灯故障检测电路中，也常采用1N4148作为高频采样信号的整流器件，1N4148通常采用DO-35玻璃封装，价格较低。 1.半导体二极管 （四）双向触发二极管 由分立元器件组成的电子镇流器中，双向触发二极管通常应用于自振荡启动电路中。双向触发二极管也称作双向开关二极管或两端交流开关(Diac)。为了降低成本，目前双向触发二极管大多采用NPN型晶体管，如图4-4（b）所示，图4-4(a)所示为双向触发二极管的图形符号，双向触发二极管大多采用DO-35玻璃封装(管壳呈蓝色)或TO-92塑料封装,外形如图4-5所示。双向触发二极管具有正向和反向对称的伏安(V-I)特性，如图4-6所示。 当外加电压低于击穿电压(VBO)时，器件呈截止状态，在此状态下器件中有很小的漏电电流通过。一旦外加电压超过VBO值，器件则进入负阻区，然后进入导通状态。双向触发二极管导通后，其导通电压降随电流增大而略有增加，双向触发二极管导通态电压降VT，都是在规定电流IT下的测试值。如果通过器件的电流低于维持电流IH，器件将由导通跃变到阻断态。 1.半导体二极管 1.半导体二极管 用于电子镇流器的双向触发二极管中有代