基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器-物理学报.PDFVIP

基于4 晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 王帆 李豫东 郭旗 汪波 张兴尧 文林 何承发 Totalionizingdoseradiationeffectsinfoue-transistorcomplementarymetaloxidesemiconductorimage sensors WangFan LiYu-Dong GuoQi WangBo ZhangXing-Yao WenLin HeCheng-Fa 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,024212(2016) DOI: 10.7498/aps.65.024212 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.024212 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I2 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 Effectsofprotonandneutronirradiationondarksignalof CCD 物理学报.2015,64(19): 194208 /10.7498/aps.64.194208 InGaAs/InP 量子阱与体材料的1MeV 电子束辐照光致发光谱研究 Photoluminescencespectraof1MeVelectronbeamirradiatedInGaAs/InPquantumwellandbulk materials 物理学报.2015,64(15): 154217 /10.7498/aps.64.154217 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 ParticletransportsimulationandeffectanalysisofCCD irradiated by protons 物理学报.2015,64(11): 114214 /10.7498/aps.64.114214 质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 Darksignaldegradationinproton-irradiatedcomplementarymetaloxidesemiconductoractivepixelsensor 物理学报.2015,64(8): 084209 /10.7498/aps.64.084209 质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析 Analysis of ionizing and department damage mechanism in proton-irradiation-induced scientific charge- coupleddevice 物理学报.2015,64(2): 024220 /10.7498/aps.64.024220 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 2 (2016) 024212 基于4 晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体 图像传感器总剂量辐射效应研究 王帆 李豫东 郭旗 汪波 张兴尧 文林 何承发 1) (中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011) 2)(中国科学院大学, 北京 100049) ( 2015 年9 月15 日收到; 2015 年9 月27 日收到修改稿) 对基于4 晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究, 着重分 析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理. 实验的总剂量为200 krad(Si), 测试点分别为 30 krad(Si), 100 krad(Si), 150 krad(Si) 和200 krad(Si), 剂量率为50 rad(Si)/s. 实验