IGCT在大功率电压源逆变器中的应用.pdfVIP

维普资讯 第29卷增刊 四JIl电力技 术 Vo1．29。No．6 2O06年 l2月 SichuanElectricPowerTechnology Dee．I2O06 IGCT在大功率电压源逆变器中的应用 何清亚 ，刘文辉 (1．湖南华菱涟钢集团有限公司，湖南 娄底 417009；2．长沙理工大学，湖南 长沙 410000) 摘 要：介绍了Ic,cr的性能特点及使用中应注意的事项，给 出了ic,cr在两电平逆变器及中点箝住三 电平逆变器应用 中箝住电路的参数设计方法，分析了IGCT在中点箝住三电平逆变器应用中需要施加外触发的原因，给 出了IGCT在6 kV高压变频调速 中的应用情况。 关键词：高压变频器；集成门极换向型晶闸管；电压源逆变器 Abs嘲 ：Theperformancefeaturesof1GCTandthepointsforattentionwhenusingIGCT areintroduced．qbe designparametea,sfor two—levelinverterandNPCthree—levelinverteremployingic,crale5yen．1henthe Ⅺ30n8whyic,crneedstobeappliedoutside triggerinNPCthree—levelinverterarea,~yzde ．Finally，theapplieafionsituationofIGCTni 6kV hish—voltageinverterisnitro- duced． KeyWOr~IhiSh—voltageniverter；integratedgatedcommutatdethyrlstor(ic,cr)；voltage8OI11O~inverter 中图分类号：TM464 文献标识码 ：B 文章编号：11303—6954(2O06)增一0343—03 采用品闸管技术的GTO是常用的大功率开关器 偏置，器件均匀关断，象品体管关断方式。GCT器件 件 ，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上 是硬驱动技术结合新技术对GTO器件进行改造而诞 有更高的性能，但 GTO驱动技术造成不均匀的开通 生的。 和关断过程，需要高成本的 dv／dt和di／dt吸收电路 1．1 缓冲层技术 和较大功率的门极驱动单元，因而造成可靠性下降和 在硬驱动下，GTO在关断时其阴极电流迅速直 价格较高的缺点。此外，也不利于串联以便用于更大 接换流到门极，这样器件的四层结构(晶闸管)转换为 容量的装置。IGCT在GTO技术的基础上，采用硬驱 三层结构(晶体管)后，器件会象 IGBT一样稳定、均匀 动技术，并将门极驱动电路和 GTC芯片集成于一体， 地以晶体管方式关断，关断时增益为 1。有了门极硬 结合了晶闸管的低通态损耗和晶体管均匀的关断能 驱动，就可以对 GTO晶片做优化：引入缓冲层设计。 力两种优点，具有开关频率高、损耗小、无需关断吸收 即在 ．-一和P层问引入 n缓冲层，并降低 n一区掺杂 电路、串联容易实现等优点，已逐步取代 GTO广泛立 浓度。由于电场被 n缓冲层阻挡，形成一个 四边形 用于中等电压大容量变流器中[】【】[7]。 电场分布，这样采用较薄的硅片即可达到相同的阻断 介绍了IGCT的性能特点及使用中应注意的事 电压，从而提高了器件的效率，降低了通态损耗和开 项，给出了IGCT在两电平逆变器及中点箝位三电平 关损耗。在4．5kV的GCT中，缓冲层的使用使得芯 逆变器应用中箝位 电路的参数设