第四篇 CVD工艺.pptVIP

?封闭式（闭管沉积系统）CVD 三、CVD方法简介 ?封闭式（闭管沉积系统）CVD 闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。 闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。 闭管法的关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 三、CVD方法简介 LPCVD原理 早期CVD 技术以开管系统为主， 即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理与APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 四、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD原理 四、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD优点 （1）低气压下气态分子的平均自由程增大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了由气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感， 所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于APCVD。 （4）卧式LPCVD装片密度高，生产成本低。 四、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD在微电子学中的应用 广泛用于沉积掺杂或不掺杂的氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物等薄膜，以及钨、钼、钽、钛等难熔金属薄膜。 四、低压化学气相沉积（LPCVD） ?等离子化学气相沉积 在普通CVD技术中，产生沉积反应所需要的能量是各种方式加热衬底和反应气体，因此，薄膜沉积温度一般较高。 如果能在反应室内形成低温等离子体（如辉光放电），则可以利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，使沉积温度降低。 这种等离子体参与的化学气相沉积称为等离子化学气相沉积。用来制备化合物薄膜、非晶薄膜、外延薄膜、超导薄膜等，特别是IC技术中的表面钝化和多层布线。 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?等离子化学气相沉积 Plasma CVD Plasma Associated CVD Plasma Enhanced CVD 这里称PECVD PECVD是指利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应的CVD技术。广泛应用于微电子学、光电子学、太阳能利用等领域， 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?等离子化学气相沉积 按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型。 ??直流辉光放电等离子体化学气相沉积（DC-PCVC） ??射频辉光放电等离子体化学气相沉积（RF-PCVC） ??微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVC） ??电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ ECRPCVD） 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?等离子化学气相沉积 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?等离子化学气相沉积 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?等离子化学气相沉积 等离子体在CVD中的作用： ?? 将反应物气体分子激活成活性离子，降低反应温度； ?? 加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率； ?? 对基片和薄膜具有溅射清洗作用，溅射掉结合不牢的粒子，提高了薄膜和基片的附着力； ?? 由于原子、分子、离子和电子相互碰撞，使形成薄膜的厚度均匀。 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?等离子化学气相沉积 PECVD的优点： ?? 低温成膜（300-350℃），对基片影响小，避免了高温带来的膜层晶粒粗大及膜层和基片间形成脆性相； ?? 低压下形成薄膜，膜厚及成分较均匀、针孔少、膜层致密、内应力小，不易产生裂纹； ?? 扩大了CVD应用范围，特别是在不同基片上制备金属薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜等； ?? 薄膜的附着力大于普通CVD。 五、等离子增强化学气相沉积（PECVD） ?其他CVD方法 ? MOCVD（金属有机物化学气相沉积） ? 光CVD 六、其他CVD方法 习题、思考题 1. CVD热力学分析的主要目的？ 2. CVD过程自由能与反应平衡常数的过程判据？ 3. CVD热力学基本内容？反应速率及其影响因素？ 4. 热分解反应、化学合成反应及化学输运反应及其特点？ 5. CVD的必要条件？ 6. 什么是冷壁CVD？什么是热壁CVD？特点是什么？ 7. 什么是开管CVD？什么是闭管CVD？特点是什么？ 8. 什么是低压CVD和等离子CVD？ 二、化学气相沉积的特点 三、CVD方法简介 一、化学气相沉积的基本原理 四、低压化学气相沉积（LPC