原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律席珍强.pdfVIP

第 26 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 9 2005 年 9 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Sep . ,2005 原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律 1 1 1 1 2 席珍强 　杨德仁 　陈　君 　阙端麟 　H .J . Moeller ( 1 浙江大学硅材料国家重点实验室 , 杭州 　3 10027) (2 In stit ut e for Exp eriment al Physics , TUFreiber g , Silber mann St r 1 , Freiber g 　09596 , Ger many) 摘要 : 采用红外扫描仪 、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜 沉淀规律. 红外扫描仪观察发现 :只有在热处理温度高于 800 ℃的样品中才能观察到铜沉淀团 ,表明在原生单晶硅 ( ) 中铜沉淀温度为 800 ℃. 同时 ,红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示 ,快冷 30 K/ s 时 ,形成高密度的小铜沉 ( ) 淀团;而慢冷 03 K/ s 导致低密度 、巨大的星形铜沉淀团的形成. 实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载 流子具有更强的复合强度. 最后 ,讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理. 关键词 : 单晶硅 ; 铜 ; 沉淀 PACC : 6280C ; 6 155F ; 8130M 中图分类号 : TN 304 1+ 2 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 对材料电学性能的影响 , 比如少子寿命[28 ] ,在硅中 1 　引言 所引入的深能级[29 ] 等. 然而 ,对于原生单晶硅中铜 的沉淀温度 , 尚不知道 ,而且对于不同热处理工艺下 随着超大规模集成电路的发展和特征线宽的降 所形成的铜沉淀团对少数载流子的复合情况也不清 低 ,单晶硅中微缺陷及各种杂质对集成电路成品率 楚. 的影响也愈来愈明显 ,这其中以过渡族金属的影响 ( ) 本文将采用红外扫描仪 SIRM 、扫描 电镜 尤为显著. 虽然使用超净房等设施可以显著降低硅 ( ) ( ) SEM 以及电子束诱生电流仪 EB IC 研究了原生 中过渡族金属杂质的浓度 ,但是仍然无法避免其沾 单晶硅中铜的沉淀规律 ,并根据实验结果讨论了单 污. 随着铜引线的使用 ,铜的沾污问题也就显得越来