压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响 screening influence on binding energies of donors in quantum wells with finite barriers under hydrostatic pressure.pdfVIP

第27卷第1期 半导体学报 V01_27No．1 2006年1月 CHINESEJoURNALOFSEMICoNDUCTORS Jan．．2006 压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响。 温淑敏1’2班士良1’+ (1内蒙古大学理J二学院物理系．呼和浩特010021) (2集宁师范高等专科学校，乌兰察布0120∞) 摘要：考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，以及准二维电子气对杂质库仑势的屏 蔽影响，利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级对GaAs／Al，Ga-一，As量子阱系统中的杂质态结合能 进行了数值计算，给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系，并讨论丁有无屏蔽时的区别．结果表明，屏蔽效应 随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能． 关键词：量子阱；屏蔽；压力；杂质态；结合能 PAoC：7155G{7320H；7360L 3 中图分类号：0