压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响 screening influence on binding energies of donors in quantum wells with finite barriers under hydrostatic pressure.pdfVIP

第27卷第1期 半导体学报 V01_27No．1 2006年1月 CHINESEJoURNALOFSEMICoNDUCTORS Jan．．2006 压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响。 温淑敏1’2班士良1’+ (1内蒙古大学理J二学院物理系．呼和浩特010021) (2集宁师范高等专科学校，乌兰察布0120∞) 摘要：考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，以及准二维电子气对杂质库仑势的屏 蔽影响，利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级对GaAs／Al，Ga-一，As量子阱系统中的杂质态结合能 进行了数值计算，给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系，并讨论丁有无屏蔽时的区别．结果表明，屏蔽效应 随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能． 关键词：量子阱；屏蔽；压力；杂质态；结合能 PAoC：7155G{7320H；7360L 3 中图分类号：0471 文献标识码：A 文章编号：0253_4177(2006)01，0063．05 结合能随压力而增大的结论，就作者所知，目前尚未 引言 有关于压力下量子阱中施主结合能屏蔽效应的报 道． 随着材料技术的发展，Al：Ga。，As等混晶材料 本文采用变分法讨论压力下屏蔽效应对有限深 被广泛用于制造半导体异质结、量子阱等．半导体量 子阱和异质结界面附近施主杂质能级的准二维特 系统，数值计算量子阱中施主结合能随铝组分、阱 性，显著地影响着体系的光吸收和发射等性质，且表 宽、压力及杂质位置的变化关系．结果表明，屏蔽显 现出不同于三维体系的特征，对其特性的研究有着 著降低了杂质态的结合能． 十分重要的意义． 早年，Hollox曾讨论了半导体异质结构中杂质 2理论模型 态结合能与磁场强度的变化关系“]．Farias等研究 了声子对此类系统中杂质态的影响o]．后来，本文作 者之一讨论了实际异质结界面附近的施主结合 (2)组成的宽度为2d，势垒高度为“的量子阱．选 能[““，给出了结合能与杂质位置，电子面密度的变 取两种材料的界面为》y平面方向，坐标原点选为 化关系．随着研究的不断深入，有些学者分别研究了 阱中央．设电量为e的施主杂质位于阱中(0，O，z。) 压力“、屏蔽[51“、外磁场‘73及声子…对异质结附近处(1zoId)．则单电子-杂质系统的哈密顿量为 施主结合能的影响，得出压力使结合能增大而屏蔽 H=爿∥+H+Hf(1) 使结合能降低的结论．自从上世纪80年代Bastard其中 H∥代表电子在ry平面内的动能，其形式 从理论上研究了无限深量子阱中类氢杂质态结合能 可写为 随杂质位置的变化关系以来9]，人们对量子阱中杂 质态结合能的研究也在不断深入．Mailhiot等采用 H一南×吉×杀×杀㈤ 有效质量近似讨论了有限深量子阱中杂质态结合能 随杂质位置，阱宽的变化关系口“．Luiz考虑了屏蔽的有效质量，在阱材料和垒材料中的取值为 对量子阱中杂质态结合能的影响o“．Masoon等研 究了声子对该结合能的影响““．sukumar等较早地 此，=㈦：桊：I，n2， z，d 讨论了此类问题的压力效应一”]．后来，赵国军等研 式中下标“1”和“2”分别表示材料l和材料2． 究了压力对量子阱中施主结合能的影响o“，得出了 *国家自然科学基金(批准号及内蒙古自治区优秀学科带头人汁划资助项目 edu．cn